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浏览/检索结果: 共19条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Temperature environmental adaptability on electrical and stress properties of Ge film in space 期刊论文  OAI收割 Journal of Materials Research and Technology, 2021, 卷号: 15, 页码: 6670-6677 作者:  Li YP(李云鹏);  Chen B(陈波);  Dai XJ(代雪晶);  Yang HC(杨洪臣);  Wang HP(王华朋)   |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2021/12/20 Ge film  Temperature adaptability  Resistance  Residual stress  In-situ  Ex-situ   Selective Wet-etching of Ge2Sb2Te5 Phase-change Thin Films in Thermal Lithography with Tetramethylammonium 期刊论文  OAI收割 applied physics a: materials science &processing, 2011, 期号: 104, 页码: 1091-1097 Deng CM(邓常猛) 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/04/24 Ge2Sb2Te5 film  selective wet etching  tetramethylammonium  thermal lithography   Interfacial structure of V(2)AlC thin films deposited on (11(2)over-bar0)-sapphire 期刊论文  OAI收割 Scripta Materialia, 2011, 卷号: 64, 期号: 4, 页码: 347-350 D. P. Sigumonrong; J. Zhang; Y. C. Zhou; D. Music; J. Emmerlich; J. Mayer; J. M. Schneider 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/04/13 MAX-phase thin film  TEM  Epitaxial growth  Ab initio calculation  ti-al-c  electronic-structure  m(n+1)ax(n) phases  ge  gas   How thick SiO(2) cap layer is needed to achieve strong visible photoluminescence from SiO(2)-buffered SiN(x) films? 期刊论文  OAI收割 Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures, 2010, 卷号: 42, 期号: 8, 页码: 2016-2020 M. Xu; Q. Y. Chen; S. Xu; K. Ostrikov; Y. Wei; Y. C. Ee 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/04/13 SiNx film  SiO(2)  Annealing  Photoluminescence  silicon oxynitride  si0.7ge0.3 layers  defect spectrum  nanostructures  luminescence  morphology  devices  origin  growth   Acid and Surfactant Effect on Chemical Mechanical Polishing of Ge2Sb2Te5 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2009, 卷号: 156, 期号: 9, 页码: H699-H702 Wang, LY; Liu, B; Song, ZT; Feng, SL; Xiang, YH; Zhang, FX 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/03/24 NITROGEN-DOPED GE2SB2TE5  FILM  MEMORY  GLASS   Promoting strain relaxation of si0.72ge0.28 film on si (100) substrate by inserting a low-temperature ge islands layer in uhvcvd 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2008, 卷号: 255, 期号: 5, 页码: 2660-2664 作者:  Zhou, Zhiwen;  Cai, Zhimeng;  Li, Cheng;  Lai, Hongkai;  Chen, Songyan 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 Relaxed buffer  Sige film  Lt-ge layer  Strain relaxation  Uhvcvd   Germanium nitride interfacial layer for chalcogenide random access memory applications 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2008, 卷号: 1, 期号: 1, 页码: 11201-11201 Shen, J; Liu, B; Song, Z; Xu, C; Rao, F; Liang, S; Feng, S; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/03/24 CHANGE OPTICAL DISK  PHASE-CHANGE MEMORY  GE2SB2TE5 FILM  HIGH-DENSITY  DEVICE   The microstructure investigation of GeTi thin film used for non-volatile memory 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2008, 卷号: 254, 期号: 15, 页码: 4638-4643 Shen, J; Liu, B; Song, ZT; Xu, C; Liang, S; Feng, SL; Chen, BM 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/03/24 RANDOM-ACCESS MEMORY  PHASE-CHANGE  NEGATIVE RESISTANCE  SWITCHING PHENOMENA  GE2SB2TE5 FILM  OXIDE-FILMS  GLASSES  TRANSITION   Switching characteristics of phase change memory cell integrated with metal-oxide semiconductor field effect transistor 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 5, 页码: 1848-1849 Xu, C; Liu, B; Chen, YF; Liang, S; Song, ZT; Feng, SL; Wan, XD; Yang, ZY; Xie, J; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/03/24 GE2SB2TE5 FILM   激光辐照引起Ge2Sb2Te5非晶态薄膜的电/光性质变化 期刊论文  OAI收割 无机材料学报, 2008, 卷号: 23, 期号: 6, 页码: 1111, 1114 孙华军; 侯立松; 吴谊群; 魏劲松 收藏  |  浏览/下载：1703/417  |  提交时间：2009/09/22 Ge2Sb2Te5薄膜  Ge2Sb2Te5 film  激光辐照  laser-irradiation  电/光性质  electrical/optical properties  光学常数  optical constants  相转变  phase change