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采集方式

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内容类型

• 期刊论文 [13]
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发表日期

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• 2008 [2]
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浏览/检索结果: 共16条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 On the design of base-collector junction of InGaAs/InP DHBT 外文期刊  OAI收割 2009 作者:  Jin, Z;  Liu, XY   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/26 Heterojunction Bipolar-transistors   Growth, Antimony Incorporation Behaviour and Beryllium Doping of GaAs1-ySby Grown on GaAs by Molecular Beam Epitaxy 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 4466 Gao, HC; Wang, WX; Jiang, ZW; Liu, J; Yang, CL; Wu, DZ; Zhou, JM; Chen, H 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/09/17 HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS  GROUP-V ELEMENTS  THERMODYNAMIC ANALYSIS  SEMICONDUCTORS  INP   Surface-recombination-free InGaAs/InP HBTs and the base contact recombination 外文期刊  OAI收割 2008 作者:  Jin, Z;  Liu, X;  Prost, W;  Tegude, FJ   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/26 Heterojunction Bipolar-transistors  Graded-base  Sinx Passivation  Npn   Relaxed SiGe-on-insulator with high Ge fraction obtained by oxidation of SiGe/Si-on-insulator with hydrogen ions implantation 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2007, 卷号: 253, 期号: 10, 页码: 4472-4476 Cheng, XL; Liu, H; Zhang, F 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/03/24 HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS  SIMOX TECHNOLOGY  SUBSTRATE  ULTRATHIN  MOSFETS  GROWTH  LAYER   Effect of heavy boron doping on the electrical characteristics of SiGeHBTs 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2007, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 890-895 Yao F (Yao Fei); Xue CL (Xue Chun-Lai); Cheng BW (Cheng Bu-Wen); Wang QM (Wang Qi-Ming) 收藏  |  浏览/下载：81/0  |  提交时间：2010/03/29 HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS   InP/InGaAs/InP DHBT structures with N+ doped composite collectors grown by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CERAMIC PROCESSING RESEARCH, 2006, 卷号: 7, 期号: 2, 页码: 177-179 Xu, AH; Ai, LK; Sun, H; Qi, M; Su, SB; Liu, XY; Liu, XC; Qian, H 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/03/24 HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS  BASE  GAIN   Study on Mg memory effect in npn type AlGaN/GaN HBT structures grown by MOCVD 期刊论文  OAI收割 microelectronics journal, 2006, 卷号: 37, 期号: 7, 页码: 583-585 Ran JX; Wang XL; Hu GX; Wang JX; Li JP; Wang CM; Zeng YP; Li JM 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2010/04/11 GaN  Mg memory effect  redistribution  AlGaN/GaN HBTs  MOCVD  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS  FABRICATION   InGaAs/InP heterostructural materials for opto-electronic integrated circuit receiver application grown by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 2005, 卷号: 46, 页码: S229-S232 Chen, XJ; Xu, AH; Ai, LK; Qi, M 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/03/24 HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS  HBTS   Self-aligned In0.49Ga0.51P/GaAs HBT DC and RF characteristics related with orientations 外文期刊  OAI收割 2004 作者:  Shi, RY;  Gong, M;  Liu, XC;  Sun, HF;  Yuan, ZP   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/26 Heterojunction Bipolar-transistors   Growth of sige heterojunction bipolar transistor using si2h6 gas and ge solid sources molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 4, 页码: 489-493 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Kong, MY;  Sun, DZ 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/05/12 Molecular beam epitaxy  Semiconducting gegermanium  Semiconducting silicon  Bipolar transistors  Heterojunction semiconductor devices