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发表日期

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浏览/检索结果: 共31条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Astute Video Transmission for Geographically Dispersed Devices in Visual IoT Systems 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON MOBILE COMPUTING, 2022, 卷号: 21, 期号: 2, 页码: 448-464 作者:  Ji, Wen;  Duan, Lingyu;  Huang, Xi;  Chai, Yueting   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2022/12/07 Task analysis  Streaming media  Performance evaluation  Delays  Visualization  DH-HEMTs  Fractals  Video transmission  device hypergraph  submodular function  dispersed devices  optimization   Construction of van der Waals substrates for largely mismatched heteroepitaxy systems using first principles 期刊论文  OAI收割 Science China-Physics Mechanics & Astronomy, 2019, 卷号: 62, 期号: 12, 页码: 7 作者:  Z.M.Shi;  X.J.Sun;  Y.P.Jia;  X.K.Liu;  S.L.Zhang   |  收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2020/08/24 van der Waals epitaxy,2D materials,first principles,light-emitting-diodes,phase epitaxy growth,algan/gan hemts,boron-nitride,gan,graphene,layer,nanosheets,crystals,semiconductor,Physics   300 degrees C operation of normally-off AlGaN/GaN MOSFET with low leakage current and high on/off current ratio 期刊论文  OAI收割 ELECTRONICS LETTERS, 2014, 卷号: 50, 期号: 4, 页码: 315-U161 作者:  Cai, Y (蔡勇) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/02/03 CIRCUITS  HEMTS   Spectrum Analysis of 2-D Plasmon in GaN-Based High Electron Mobility Transistors 期刊论文  OAI收割 IEEE J SEL TOP QUANT, 2013, 卷号: 19, 期号: 1 LinWang; Xiao-ShuangChen; Wei-DaHu; WeiLu 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2014/11/10 Highelectronmobilitytransistors(HEMTs)  plasmonics  spectrum  terahertz(THz)detectors   Valence band offset of GaN/diamond heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 18, 页码: 8110-8112 作者:  Shi K;  Jiao CM;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：105/7  |  提交时间：2011/07/05 Valence band offset  GaN/diamond heterojunction  XPS  Conduction band offset  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ALGAN/GAN HEMTS  DIAMOND  GAN  FILMS   Electron mobility in modulation-doped AlSb/InAs quantum wells 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.73703 作者:  Zhang Y;  Li YB 收藏  |  浏览/下载：62/5  |  提交时间：2011/07/05 ACOUSTIC-PHONON-SCATTERING  LOW-POWER APPLICATIONS  TRANSPORT-PROPERTIES  INTERFACE ROUGHNESS  INAS/ALSB HEMTS  HETEROSTRUCTURES  INAS  TRANSISTORS  GAS  LAYERS   The influence of the InGaN back-barrier on the properties of Al(0.3)Ga(0.7)N/AlN/GaN/InGaN/GaN structure 期刊论文  OAI收割 european physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 10102 Bi Y; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Peng EC; Lin DF; Feng C; Jiang LJ 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2012/01/06 ALGAN/GAN/INGAN/GAN DH-HEMTS  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  ALGAN/GAN  POLARIZATION  PASSIVATION  HFETS  GHZ   The influence of the 1st AlN and the 2nd GaN layers on properties of AlGaN/2nd AlN/2nd GaN/1st AlN/1st GaN structure 期刊论文  OAI收割 applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: 1211-1216 作者:  Bi Y;  Lin DF;  Peng EC 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2011/09/14 2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS  ALGAN/GAN/INGAN/GAN DH-HEMTS  MILLIMETER-WAVE APPLICATIONS  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  HETEROJUNCTION FETS  HETEROSTRUCTURES  PASSIVATION  CONFINEMENT  PERFORMANCE  BARRIERS   Self-consistent analysis of AlSb/InAs high electron mobility transistor structures 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 044504 Li YB (Li Yanbo); Zhang Y (Zhang Yang); Zeng YP (Zeng Yiping) 收藏  |  浏览/下载：235/46  |  提交时间：2010/10/11 INAS/ALSB QUANTUM-WELLS  LOW-POWER APPLICATIONS  HEMTS  MODULATION  HETEROSTRUCTURES  TECHNOLOGY  CHANNEL  VOLTAGE  MASS   High-performance 2 mm gate width ganhemts on 6h-sic with output power of 22.4 w @ 8 ghz 期刊论文  iSwitch采集 Solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 926-929 作者:  Wang, X. L.;  Chen, T. S.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Hu, G. X. 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/aln/gan  Hemts  Sic  Power