中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
近代物理研究所 [8]
半导体研究所 [5]
高能物理研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [11]
iSwitch采集 [3]
内容类型
期刊论文 [8]
会议论文 [5]
学位论文 [1]
发表日期
2013 [2]
2012 [5]
2011 [2]
2009 [2]
2008 [1]
2005 [1]
更多
学科主题
Physics [1]
光电子学 [1]
半导体材料 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共14条,第1-10条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Implantation temperature and thermal annealing behavior in H-2(+)-implanted 6H-SiC
期刊论文
OAI收割
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2013, 卷号: 316, 页码: 239-244
作者:
Li, B. S.
;
Wang, Z. G.
;
Jin, J. F.
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:34/0
  |  
提交时间:2018/07/05
6h-sic
Hydrogen Implantation
Hrxrd
Surface Morphology
Ion-cut
EFFECT OF HEAT TREATMENT ON MICROSTRUCTURE AND MAGNETOSTRICTIVE PROPERTY OF MELT-SPUN Fe85Ga15 RIBBONS
期刊论文
OAI收割
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 2013, 卷号: 27, 期号: 30, 页码: 1350174
作者:
Liu, H
;
Wang, HO
;
Cao, MX
;
Tan, WS
;
Shi, YG
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2016/04/08
HRXRD
EXAFS
modified-DO3 phase
magnetostriction
Fe-Ga ribbon
Lattice damage and nanohardness in 6H-SiC implanted with multiple-energy Xe ions
会议论文
OAI收割
作者:
Jia, X. J.
;
Jin, Y. F.
;
Li, J. Y.
;
Song, Y.
;
Xu, C. L.
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:33/0
  |  
提交时间:2018/08/20
6H-SiC
Xe ions
Irradiation
HRXRD
Nanoindentation
A HRXRD and nano-indentation study on Ne-implanted 6H-SiC
会议论文
OAI收割
作者:
Li, J. J.
;
Zhang, L. Q.
;
Yang, Y. T.
;
Song, Y.
;
Jia, X. J.
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:171/0
  |  
提交时间:2018/08/20
6H-SiC
Irradiation
Neon ions
HRXRD
Nano-indentation
荷能Xe 离子注入SiC 中缺陷和力学性能演化行为的研究
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
李健健
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:36/0
  |  
提交时间:2015/10/28
离子注入
缺陷演化
Hrxrd
Raman光谱
纳米硬度
Structural and optical study of irradiation effect in GaN epilayers induced by 308 MeV Xe ions
期刊论文
OAI收割
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2011, 卷号: 269, 期号: 15, 页码: 1782-1785
作者:
Li, B. S.
;
Zhang, L. M.
;
Zhang, C. H.
;
Zhang, L. Q.
;
Jia, X. J.
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2015/10/15
GaN
Ion irradiation
AFM
HRXRD
Raman scattering
PL
HRXRD and Raman study of irradiation effects in InGaN/GaN layers induced by 2.3 MeV Ne and 5.3 MeV Kr ions
期刊论文
OAI收割
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2011, 卷号: 269, 期号: 10, 页码: 1063-1066
作者:
Jia, X. J.
;
Zhang, L. Q.
;
Jin, Y. F.
;
Zhang, Y.
;
Han, L. H.
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:34/0
  |  
提交时间:2015/10/15
InGaN
Ion irradiation
HRXRD
Raman scattering
Growth of (10(1)over-bar(3)over-bar) semipolar gan on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy
期刊论文
iSwitch采集
Journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 17, 页码: 4153-4157
作者:
Wei, T. B.
;
Hu, Q.
;
Duan, R. F.
;
Wei, X. C.
;
Huo, Z. Q.
收藏
  |  
浏览/下载:39/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Hrxrd
Pl
Stacking fault
Hvpe
Gan
Semipolar