机构

• 半导体研究所 [23]
• 长春光学精密机械与... [11]
• 金属研究所 [5]
• 新疆理化技术研究所 [4]
• 上海微系统与信息技术... [4]
• 物理研究所 [2]
• 更多

采集方式

• OAI收割 [57]
• iSwitch采集 [7]

内容类型

• 期刊论文 [49]
• 学位论文 [8]
• 会议论文 [7]

发表日期

• 2022 [2]
• 2020 [2]
• 2019 [4]
• 2018 [3]
• 2015 [2]
• 2013 [3]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [7]
• 半导体物理 [5]
• 光电子学 [4]
• 红外基础研究 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共64条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Electrodeposited Ni-W coatings as the effective reaction barrier at Ga-21.5In-10Sn/Cu interfaces 期刊论文  OAI收割 SURFACES AND INTERFACES, 2022, 卷号: 30, 页码: 12 作者:  Gao, Zhaoqing;  Wang, Chen;  Gao, Nan;  Guo, Shihao;  Chen, Yinbo   |  收藏  |  浏览/下载：169/0  |  提交时间：2022/07/01 Ni-W-graphene coatings  Interfacial reaction barrier  CuGa 2 layer  Ga-21  5In-10Sn liquid alloys  Ni -W solid solution   Interfacial reactions at Ga-21.5In-10Sn/Cu liquid-solid interfaces under isothermal and non-isothermal conditions 期刊论文  OAI收割 MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS, 2022, 卷号: 282, 页码: 16 作者:  Gao, Zhaoqing;  Wang, Chen;  Chai, Zhenbang;  Chen, Yinbo;  Shen, Chenyu   |  收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2022/07/14 Intermetallics  Microstructure  Temperature gradient  Preferred orientation   Ga-21-5In-10Sn alloys   Interfaces   Analytical Surface Potential-Based Compact Model for Independent Dual Gate a-IGZO TFT 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 卷号: 68, 期号: 4, 页码: 2049-2055 作者:  Guo, Jingrui;  Zhao, Ying;  Yang, Guanhua;  Chuai, Xichen;  Lu, Wenhao   |  收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2021/06/01 Electric potential  Solid modeling  Logic gates  Integrated circuit modeling  Numerical models  Thin film transistors  Analytical models  Analytical models  independent dual gate (IDG) amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors (IDG a-IGZO TFTs)  Schroder method  surface potential  threshold compensation effect   Assessing the Effect of the Electron-Beam Irradiation on Pd/Ga(2)O(3)Catalyst under Ambient Pressure 期刊论文  OAI收割 CHEMCATCHEM, 2020, 页码: 6 作者:  Wang, Yongzhao;  Niu, Yiming;  Gao, Tongtong;  Liu, Siyang;  Zhang, Bingsen   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2021/02/02 in-situ transmission electron microscopy  Pd  Ga2O3  electron-beam irradiation damage  ambient pressure  metal-support interaction   稀氮（Ga(In)AsN）材料的位移损伤效应研究 学位论文  OAI收割 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020 作者:  雷琪琪   |  收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2020/11/19 稀氮  Ga(In)AsN材料  光致发光  辐射损伤效应  退火   In Situ Generated Fireproof Gel Polymer Electrolyte with Li6.4Ga0.2La3Zr2O12 As Initiator and Ion-Conductive Filler 期刊论文  OAI收割 ADVANCED ENERGY MATERIALS, 2019, 卷号: 9, 期号: 25 作者:  Xu, Dong;  Su, Jianmeng;  Jin, Jun;  Sun, Ce;  Ruan, Yadong   |  收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2019/12/26 fireproof  gel polymer electrolytes  in situ crosslinked  Li-6  4Ga(0)  2La(3)Zr(2)O(12) (LLZO)   InGaAs单结太阳电池辐射效应机理研究 学位论文  OAI收割 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019 作者:  慎小宝   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/07/15 In0.53Ga0.47As单结太阳电池  高注量电子  低能质子  位移损伤  退火效应   Effect of crystalline state on conductive filaments forming process in resistive switching memory devices 期刊论文  OAI收割 Materials Today Communications, 2019, 卷号: 20, 期号: 5 作者:  T.Guo;  H.Elshekh;  Z.Yu;  B.Yu;  D.Wang   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2020/08/24 Cu(In, Ga)Se-2,Crystalline state,Conductive filaments,Memory device,current-voltage characteristics   Temperature-dependent photoluminescence characterization of compressively strained AlGaInAs quantum wells 期刊论文  OAI收割 Materials Research Bulletin, 2019, 卷号: 115, 页码: 196-200 作者:  Y.Song;  L.G.Zhang;  Y.G.Zeng;  Y.Y.Chen;  L.Qin   |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2020/08/24 Al0.07Ga0.22In0.71As quantum wells,Optical properties,Metal organic,chemical vapor deposition,Photoluminescence,Full width at half maximum,thermal-expansion,carrier localization,gaas,scattering,origin,model,shift,Materials Science   共轭低聚物中光生分子间电荷转移态的第一性原理研究（英文） 期刊论文  OAI收割 Chinese Journal of Chemical Physics, 2018, 卷号: 31, 期号: 03, 页码: 313-317 作者:  李志伟;  郭的坪;  黄广艺;  陶王莉;  段满益   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/12/30 电子结构  光学性质  单层In_(1-x)Ga_xN  Heyd-Scuseria-Ernzerh方法