机构

• 半导体研究所 [8]

采集方式

• iSwitch采集 [4]
• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [8]

发表日期

• 2005 [3]
• 2003 [5]

学科主题

• 半导体材料 [3]
• 光电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Study on the thermal stability of inn by in-situ laser reflectance system 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 281, 期号: 2-4, 页码: 310-317 作者:  Huang, Y;  Wang, H;  Sun, Q;  Chen, J;  Wang, JF 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 In situ reflectometry  Thermal stability  Metalorganic chemical vapor deposition  Inn   Low-temperature growth of inn by mocvd and its characterization 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 276, 期号: 1-2, 页码: 13-18 作者:  Huang, Y;  Wang, H;  Sun, Q;  Chen, J;  Li, DY 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Growth rate  In situ reflectometry  Metalorganic chemical vapor deposition  Inn   Study on the thermal stability of InN by in-situ laser reflectance system 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 281, 期号: 2-4, 页码: 310-317 Huang Y; Wang H; Sun Q; Chen J; Wang JF; Wang YT; Yang H 收藏  |  浏览/下载：53/12  |  提交时间：2010/03/17 in situ reflectometry   Influences of reactor pressure of gan buffer layers on morphological evolution of gan grown by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 248-253 作者:  Chen, J;  Zhang, SM;  Zhang, BS;  Zhu, JJ;  Shen, XM 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 In situ laser reflectometry  Lateral overgrowths  Surface morphology  Metalorganic chemical vapor deposition  Gan   Effects of reactor pressure on gan nucleation layers and subsequent gan epilayers grown on sapphire substrate 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 254, 期号: 3-4, 页码: 348-352 作者:  Chen, J;  Zhang, SM;  Zhang, BS;  Zhu, JJ;  Feng, G 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 In situ laser reflectometry  Lateral overgrowth  Metalorganic chemical vapor deposition  Gan   Influence of growth pressure of a GaN buffer layer on the properties of MOCVD GaN 期刊论文  OAI收割 science in china series e-technological sciences, 2003, 卷号: 46, 期号: 6, 页码: 620-626 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：269/65  |  提交时间：2010/08/12 gallium nitride  MOCVD  in situ laser reflectometry  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  IN-SITU  SAPPHIRE SUBSTRATE  NUCLEATION LAYERS  FILMS   Effects of reactor pressure on GaN nucleation layers and subsequent GaN epilayers grown on sapphire substrate 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 254, 期号: 3-4, 页码: 348-352 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：240/30  |  提交时间：2010/08/12 in situ laser reflectometry  lateral overgrowth  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HIGH-QUALITY GAN  BUFFER LAYER  THREADING DISLOCATIONS  TEMPERATURE  EVOLUTION  SURFACE  MOVPE   Influences of reactor pressure of GaN buffer layers on morphological evolution of GaN grown by MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 248-253 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：303/3  |  提交时间：2010/08/12 in situ laser reflectometry  lateral overgrowths  surface morphology  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  LIGHT-EMITTING-DIODES  SAPPHIRE SUBSTRATE  NUCLEATION LAYERS  QUALITY  TEMPERATURE