机构

• 半导体研究所 [8]
• 化学研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [7]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [8]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2006 [1]
• 2005 [2]
• 2000 [1]
• 1999 [1]
• 1998 [3]
• 1996 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [3]
• 半导体物理 [3]

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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Surface morphology evolution of strained InAs/GaAs(331)a films 会议论文  OAI收割 2nd asian conference on nanoscience and nanotechnology, beijing, peoples r china, nov 24-27, 2004 Gong, M (Gong, Meng); Fang, ZD (Fang, Zhidan); Miao, ZH (Miao, Zhenhua); Niu, ZC (Niu, Zhichuan) 收藏  |  浏览/下载：141/36  |  提交时间：2010/03/29 surface morphology evolution  InAs nanostructures  island-pit pairs  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  QUANTUM DOTS  COOPERATIVE NUCLEATION  HETEROEPITAXY  TRANSITION  ISLANDS  GROWTH   A novel method for positioning of inas islands on gaas(110) 期刊论文  iSwitch采集 Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 537-544 作者:  Cui, CX;  Chen, YH;  Zhang, CL;  Jin, P;  Shi, GX 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2019/05/12 Inas island  Gaas (110)  Cleaved edge overgrowth  Ingaas/gaas superlattice  Mbe   A novel method for positioning of InAs islands on GaAs(110) 期刊论文  OAI收割 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 537-544 作者:  Xu B;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：160/42  |  提交时间：2010/03/17 InAs island   Photoluminescence study of InAlAs quantum dots grown on differently oriented surfaces 期刊论文  OAI收割 journal of vacuum science & technology b, 2000, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 21-24 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：121/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  3-DIMENSIONAL ISLAND FORMATION  MONOLAYER COVERAGE  GAAS  INAS  INGAAS  TEMPERATURE  INXGA1-XAS  ENSEMBLES  GAAS(100)   Substrate surface atomic structure influence on the growth of InAlAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 608-612 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  atomic-terminated surface  quantum dots  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE  MONOLAYER COVERAGE  INAS  GAAS  GE  INXGA1-XAS  ENSEMBLES  GAAS(100)  3-DIMENSIONAL ISLAND FORMATION   Analysis of atomic force microscopic results of InAs islands formed by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1998, 卷号: 192, 期号: 3-4, 页码: 376-380 作者:  Gong, Q;  Liang, JB;  Xu, B;  Ding, D;  Li, HX   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/04/09 Nanometer Island  Inas  Molecular Beam Epitaxy  Atomic Force Microscopy  Quantum Dot   Analysis of atomic force microscopic results of inas islands formed by molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 1998, 卷号: 192, 期号: 3-4, 页码: 376-380 作者:  Gong, Q;  Liang, JB;  Xu, B;  Ding, D;  Li, HX 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Nanometer island  Inas  Molecular beam epitaxy  Atomic force microscopy  Quantum dot   Analysis of atomic force microscopic results of InAs islands formed by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 192, 期号: 3-4, 页码: 376-380 作者:   收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 nanometer island  InAs  molecular beam epitaxy  atomic force microscopy  quantum dot  GAAS  LASERS  GROWTH  ASSEMBLED QUANTUM DOTS   Effective-mass theory for InAs/GaAs strained coupled quantum dots 期刊论文  OAI收割 physical review b, 1996, 卷号: 54, 期号: 16, 页码: 11575-11581 Li SS; Xia JB; Yuan ZL; Xu ZY; Ge WK; Wang XR; Wang Y; Wang J; Chang LL 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/11/17 SELF-ORGANIZED GROWTH  ISLAND FORMATION  VALENCE BANDS  BEAM EPITAXY  GAAS MATRIX  INAS  PHOTOLUMINESCENCE  HETEROSTRUCTURES  MICROSTRUCTURES  SUPERLATTICES