机构

• 半导体研究所 [8]

采集方式

• OAI收割 [5]
• iSwitch采集 [3]

内容类型

• 期刊论文 [7]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2005 [1]
• 2000 [3]
• 1999 [2]
• 1998 [2]

学科主题

• 半导体材料 [3]
• 光电子学 [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 A novel method for positioning of inas islands on gaas(110) 期刊论文  iSwitch采集 Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 537-544 作者:  Cui, CX;  Chen, YH;  Zhang, CL;  Jin, P;  Shi, GX 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2019/05/12 Inas island  Gaas (110)  Cleaved edge overgrowth  Ingaas/gaas superlattice  Mbe   Effects of rapid thermal annealing on self-assembled InGaAs/GaAs quantum dots superlattice 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 791-794 Zhuang QD; Li JM; Wang XX; Zeng YP; Wang YT; Wang BQ; Pan L; Wu J; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/08/12 InGaAs/GaAs  quantum dots  superlattice  annealing  X-ray  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INFRARED PHOTODETECTORS  STRAIN RELAXATION  LUMINESCENCE  HETEROSTRUCTURES  DEPENDENCE  ABSORPTION  THRESHOLD  OPERATION  ISLANDS   Effect of rapid thermal annealing on InGaAs/GaAs quantum wells 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 352-355 Zhuang QD; Li JM; Zeng YP; Yoon SF; Zheng HQ; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：71/0  |  提交时间：2010/08/12 annealing  InGaAs/GaAs  quantum wells  interdiffusion  quantum dots  MBE  DOT SUPERLATTICE   Effects of rapid thermal annealing on self-assembled ingaas/gaas quantum dots superlattice 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 791-794 作者:  Zhuang, QD;  Li, JM;  Wang, XX;  Zeng, YP;  Wang, YT 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Ingaas/gaas  Quantum dots  Superlattice  Annealing  X-ray   Structural characterization of ingaas/gaas quantum dots superlattice infrared photodetector structures 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 375-381 作者:  Zhuang, QD;  Li, JM;  Zeng, YP;  Pan, L;  Li, HX 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 Ingaas/gaas  Quantum dots  Superlattice  Structure  Tem  X-ray   Structural characterization of InGaAs/GaAs quantum dots superlattice infrared photodetector structures 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 375-381 Zhuang QD; Li JM; Zeng YP; Pan L; Li HX; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 InGaAs/GaAs  quantum dots  superlattice  structure  TEM  X-ray  ISLANDS  GROWTH  GAAS  MULTILAYERS  SURFACES  X-RAY-DIFFRACTION   New method for the growth of highly uniform quantum dots 会议论文  OAI收割 2nd international conference on low dimensional structures and devices, lisbon, portugal, may 19-21, 1997 Pan D; Zeng YP; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/15 self-formed quantum dot  Stranski-Krastanow growth mode  superlattice  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INGAAS  GAAS  DISLOCATIONS  MULTILAYERS  DEFECTS  STRAIN   New method for the growth of highly uniform quantum dots 期刊论文  OAI收割 microelectronic engineering, 1998, 卷号: 43-44, 期号: 0, 页码: 79-83 Pan D; Zeng YP; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12 self-formed quantum dot  Stranski-Krastanow growth mode  superlattice  INGAAS  GAAS  DISLOCATIONS  MULTILAYERS  DEFECTS  STRAIN  MOLECULAR-BEAM EPITAXY