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浏览/检索结果: 共38条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Radiation Effects and Mechanisms on Switching Characteristics of Silicon Carbide Power MOSFETs 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS, 2021, 卷号: 16, 期号: 9, 页码: 1423-1429 作者:  Feng, HN (Feng, Haonan) [1] , [2] , [3];  Yang, S (Yang, Sheng) [1] , [2] , [3];  Liang, XW (Liang, Xiaowen) [1] , [2] , [3];  Zhang, D (Zhang, Dan) [1] , [2] , [3];  Pu, XJ (Pu, Xiaojuan) [1] , [2] , [3]   |  收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2022/03/24 SiC Power MOSFETs  Switching Characteristics  Total Ionizing Dose (TID) Effect  Static Characteristic  Parasitic Capacitance   A Tunnel Diode Body Contact Structure for High-Performance SOI MOSFETs 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2012, 卷号: 59, 期号: 1, 页码: 101-107 Luo, JX; Chen, J; Wu, QQ; Chai, Z; Zhou, JH; Yu, T; Dong, YJ; Li, L; Liu, W; Qiu, C; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/04/17 Body contact  floating-body effects (FBEs)  kink effect  linear kink effect (LKE)  partially depleted (PD) silicon-on-insulator (SOI)  SOI MOSFETs  tunnel diode  tunnel diode body contact (TDBC)   Quantum mechanical simulation of electronic transport in nanostructured devices by efficient self-consistent pseudopotential calculation 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 2011, 卷号: 109, 109, 期号: 5, 页码: article no.54503, Article no.54503 作者:  Jiang XW;  Li SS;  Xia JB;  Wang LW;  Jiang, XW, Chinese Acad Sci, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. xwjiang@semi.ac.cn   |  收藏  |  浏览/下载：56/2  |  提交时间：2011/07/05 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  SEMICONDUCTOR-DEVICES  SILICON DEVICES  MONTE-CARLO  MOSFETS  NANOTRANSISTORS  APPROXIMATION  EQUATIONS  DESIGN  MODELS  Field-effect Transistors  Semiconductor-devices  Silicon Devices  Monte-carlo  Mosfets  Nanotransistors  Approximation  Equations  Design  Models   High-Performance Si Nanowire Transistors on Fully Si Bulk Substrate From Top-Down Approach: Simulation and Fabrication 外文期刊  OAI收割 2010 作者:  Zhuge, J;  Tian, Y;  Wang, RS;  Huang, R;  Wang, YQ   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/26 Thermal-conductivity  Device-simulation  Mosfets  Layers   Strain Stability and Carrier Mobility Enhancement in Strained Si on Relaxed SiGe-on-Insulator 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2010, 卷号: 157, 期号: 1, 页码: H104-H108 Ma, XB; Liu, WL; Liu, XY; Du, XF; Song, ZT; Lin, CL; Chu, PK 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/03/24 N-MOSFETS  SILICON  FABRICATION  TECHNOLOGY  LAYERS  RELAXATION  ELECTRON  SIMOX  SOI   Characteristics of high-quality HfSiON gate dielectric prepared by physical vapour deposition 外文期刊  OAI收割 2009 作者:  Xu, QX;  Xu, GB   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/26 Fabrication  Mosfets   TCAD study on gate-all-around cylindrical (GAAC) transistor for CMOS scaling to the end of the roadmap 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS JOURNAL, 2009, 卷号: 40, 期号: 12, 页码: 1766-1771 Xiao, DY; Wang, X; Yu, YH; Chen, J; Zhang, M; Xue, ZY; Luo, JX 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2012/03/24 SOI MOSFETS  MODEL   The use of nanocavities for the fabrication of ultrathin buried oxide layers 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 94, 期号: 1, 页码: 11903-11903 Ou, X; Kogler, R; Mucklich, A; Skorupa, W; Moller, W; Wang, X; Vines, L 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/03/24 ION-IMPLANTATION  SOI MOSFETS  SILICON  SI  HELIUM  SEPARATION  DEFECTS  TEMPERATURE  HYDROGEN  BUBBLES   An Analytical Terahertz Detection Theory for Silicon-Based Nanowire MOS Field Effect Transistor 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF COMPUTATIONAL AND THEORETICAL NANOSCIENCE, 2009, 卷号: 6, 期号: 10, 页码: 2247-2254 Chen, Y; He, J; Mu, XH; Lou, HJ; Zhang, LN; Song, Y; Yang, ZF; Zhu, JX; Cao, JC 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2011/11/03 2-DIMENSIONAL ELECTRONIC FLUID  SURROUNDING-GATE MOSFETS  RESONANT DETECTION  PLASMA-WAVES  RADIATION  SUBTERAHERTZ  DESIGN  MODEL   Behavior of substrate enhanced electron injection in advanced deep sub-micron NMOSFETs 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2008, 卷号: 85, 期号: 3, 页码: 493-499 Wang,QX; Sun,LX; Yap,A; Zhang,YJ; Li,H; Liu,SH; Zou,SC 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/03/24 HOT-CARRIER DEGRADATION  THICK SIO2 OXIDES  IMPACT IONIZATION  MOSFETS  CHANNEL  MEMORY  CELLS  MODEL  NBTI  1ST