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浏览/检索结果: 共59条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 MOVPE-Growth of InGaSb/AlP/GaP(001) Quantum Dots for Nanoscale Memory Applications 期刊论文  OAI收割 Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics, 2018, 卷号: 255, 期号: 12, 页码: 7 作者:  Sala, E. M.;  Arikan, I. F.;  Bonato, L.;  Bertram, F.;  Veit, P.   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/09/17 AlP barrier  GaP  InGaSb  MOVPE growth  nanoscale memory  quantum dots  hole localization  ohmic contacts  luminescence  resistance  Physics   Material research on the InGaAs-emitting-layer VECSEL grown on GaAs substrate 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2016, 卷号: 42, 页码: 283-287 作者:  Lin, Tao;  Sun, Ruijuan;  Sun, Hang;  Guo, Enmin;  Duan, Yupeng 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2016/01/11 VECSEL  MOVPE  InGaAs   Investigation on the compensation effect of residual carbon impurities in low temperature grown Mg doped GaN films 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 卷号: 115, 期号: 16 作者:  Zhang SM(张书明);  Yang H(杨辉);  Liu JP(刘建平);  Yang, J 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2014/12/19 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  YELLOW LUMINESCENCE  INTERSTITIAL CARBON  MOVPE GROWTH  LAYERS   MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117 作者:  Jia CH;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：127/2  |  提交时间：2011/07/05 Anisotropy  Crystal morphology  Metalorganic chemical vapor deposition  a-Plane InN  INDIUM NITRIDE  MOVPE GROWTH  CUBIC INN  SAPPHIRE  GAN  MBE   Numerical study of strained InGaAs quantum well lasers emitting at 2.33 mu m using the eight-band model 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 77301 Wang M; Gu YX; Ji HM; Yang T; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/02/06 EPITAXY  MOVPE   Optimized growth of p-type AlGaN electron blocking layer in the GaN-based LED 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 2011, 卷号: 60, 60, 期号: 1, 页码: article no.16108, Article no.16108 作者:  Wang B;  Li ZC;  Yao R;  Liang M;  Yan FW   |  收藏  |  浏览/下载：113/5  |  提交时间：2011/07/05 GaN-based  LED  Al composition  electron blocking layer  TEMPERATURE  ALLOYS  MOVPE  Gan-based  Led  Al Composition  Electron Blocking Layer  Temperature  Alloys  Movpe   Structural and optical properties of GaInP grown on germanium by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 Applied Physics Letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 12 W. He, S. L. Lu, J. R. Dong, Y. M. Zhao, X. Y. Ren, K. L. Xiong, B. Li, H. Yang, H. M. Zhu, X. Y. Chen and X. Kong 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/11/02 solar-cells  phase epitaxy  gaas/ge heterostructures  temperature-dependence  ga0.5in0.5p  photoluminescence  ga0.52in0.48p  disorder  movpe   A study of indium incorporation in in-rich ingan grown by movpe 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 10, 页码: 3352-3356 作者:  Guo, Y.;  Liu, X. L.;  Song, H. P.;  Yang, A. L.;  Xu, X. Q. 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/05/12 Movpe  In-rich ingan  Indium incorporation   A study of indium incorporation in In-rich InGaN grown by MOVPE 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 10, 页码: 3352-3356 作者:  Wei HY;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：143/13  |  提交时间：2010/04/22 MOVPE  In-rich InGaN  Indium incorporation  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  CRITICAL THICKNESS  DROPLET FORMATION  PHASE-SEPARATION  TEMPERATURE  FILMS  HETEROSTRUCTURES  IMMISCIBILITY  INXGA1-XN   The effect of single AlGaN interlayer on the structural properties of GaN epilayers grown on Si (111) substrates 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2009, 卷号: 18, 期号: 10, 页码: 4413-4417 作者:  Zhang SM;  Yang H(杨辉);  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/01/15 INTERSUBBAND ABSORPTION  MU-M  ALGAN  GAN  INTERLAYERS  MOVPE  ALN