机构

• 物理研究所 [5]
• 半导体研究所 [5]
• 高能物理研究所 [1]
• 长春应用化学研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [12]

内容类型

• 期刊论文 [12]

发表日期

• 2003 [5]
• 2002 [2]
• 2001 [1]
• 2000 [1]
• 1999 [2]
• 1997 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [5]
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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The growth morphologies of GaN layer on Si(111) substrate 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 91 Lu, YA; Liu, XL; Lu, DC; Yuan, HR; Hu, GQ; Wang, XH; Wang, ZG; Duan, XF 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/09/23 LIGHT-EMITTING-DIODES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  NUCLEATION LAYERS  BUFFER LAYER  SILICON  SAPPHIRE  NITRIDE  EPITAXY  STRESS  STRAIN   Influence of growth pressure of a GaN buffer layer on the properties of MOCVD GaN 期刊论文  OAI收割 science in china series e-technological sciences, 2003, 卷号: 46, 期号: 6, 页码: 620-626 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：265/65  |  提交时间：2010/08/12 gallium nitride  MOCVD  in situ laser reflectometry  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  IN-SITU  SAPPHIRE SUBSTRATE  NUCLEATION LAYERS  FILMS   The growth morphologies of GaN layer on Si(111) substrate 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 91-98 Lu YA; Liu XL; Lu DC; Yuan HR; Hu GQ; Wang XH; Wang ZG; Duan XF 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/08/12 Si(111) substrate  heteroepitaxy  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  LIGHT-EMITTING-DIODES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  NUCLEATION LAYERS  BUFFER LAYER  SILICON  SAPPHIRE  NITRIDE  EPITAXY  STRESS  STRAIN   Influences of reactor pressure of GaN buffer layers on morphological evolution of GaN grown by MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 248-253 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：300/3  |  提交时间：2010/08/12 in situ laser reflectometry  lateral overgrowths  surface morphology  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  LIGHT-EMITTING-DIODES  SAPPHIRE SUBSTRATE  NUCLEATION LAYERS  QUALITY  TEMPERATURE   X-ray diffraction analysis of MOCVD grown GaN buffer layers on GaAs(001) substrates 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 254, 期号: 1-2, 页码: 23-27 Shen XM; Wang YT; Zheng XH; Zhang BS; Chen J; Feng G; Yang H 收藏  |  浏览/下载：116/0  |  提交时间：2010/08/12 buffer layers  x-ray diffraction  metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  VAPOR-PHASE EPITAXY  NUCLEATION LAYERS  CUBIC GAN  (001)GAAS SUBSTRATE  STRAIN RELAXATION  TEMPERATURE  DEPOSITION  QUALITY  DIODES   Structural characteristic of cubic GaN nucleation layers on GaAs(001) substrates by MOCVD 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2002, 卷号: 242, 期号: 1-2, 页码: #REF! 作者:  Zheng, XH;  Feng, ZH;  Wang, YT;  Zheng, WL;  Jia, QJ 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2016/04/12 nucleation layers  X-ray diffraction  metalorganic chemical vapor deposition  gallium compounds  nitrides   Structural characteristic of cubic GaN nucleation layers on GaAs(001) substrates by MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 242, 期号: 1-2, 页码: 124-128 Zheng XH; Feng ZH; Wang YT; Zheng WL; Jia QJ; Jiang XM; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：134/0  |  提交时间：2010/08/12 nucleation layers  X-ray diffraction  metalorganic chemical vapor deposition  gallium compounds  nitrides  LIGHT-EMITTING-DIODES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AIN BUFFER LAYER  GROWN GAN  SAPPHIRE SUBSTRATE  QUALITY  FILMS  BLUE  TEMPERATURE  EVOLUTION   Evolution of island-pit surface morphologies of InAs epilayers grown on GaAs (001) substrates 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2001, 卷号: 89, 期号: 7, 页码: 3700 Li, JH; Moss, SC; Han, BS; Mai, ZH 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/09/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INGAAS QUANTUM DOTS  STRAINED FILMS  NUCLEATION  LAYERS  UNIFORMITY  MECHANISMS  RELAXATION  SIZE   Stress reduction by ion bombardment in CeO2 films 期刊论文  OAI收割 SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2000, 卷号: 114, 期号: 11, 页码: 613 Wang, RP; Pan, SH; Zhou, YL 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/09/24 PULSED-LASER DEPOSITION  THIN-FILMS  NUCLEATION  RELAXATION  LAYERS   Study on the interface structure: Diamond thin film epitaxy on (001) silicon substrate 期刊论文  OAI收割 MODERN PHYSICS LETTERS B, 1999, 卷号: 13, 期号: 3-4, 页码: 125 Meng, QB; Fei, YJ; Kang, J; Xiong, YY; Lin, ZD; Feng, KA 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/09/24 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ORIENTED DIAMOND  GROWTH  NUCLEATION  LAYERS  BIAS