机构

• 新疆理化技术研究所 [4]
• 微电子研究所 [1]
• 上海微系统与信息技术... [1]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2018 [1]
• 2015 [2]
• 2014 [1]
• 2006 [1]
• 2004 [1]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 总剂量辐射对65 nm NMOSFET热载流子敏感参数的影响 期刊论文  OAI收割 微电子学, 2018, 卷号: 48, 期号: 1, 页码: 126-130 作者:  苏丹丹;  周航;  郑齐文;  崔江维;  孙静   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/03/19 65 Nm Nmosfet  总剂量效应  热载流子效应   深亚微米N沟道MOS晶体管的总剂量效应 期刊论文  OAI收割 微电子学, 2015, 卷号: 45, 期号: 5, 页码: 666-669 作者:  文林;  李豫东;  郭旗;  孙静;  任迪远;  崔江维;  汪波;  玛丽娅;  郭旗;  李豫东;  文林 收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2016/06/07 深亚微米  NMOSFET  总剂量效应  窄沟效应   电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应简 期刊论文  OAI收割 微电子学, 2015, 卷号: 45, 期号: 4, 页码: 537-540+544 作者:  文林;  李豫东;  郭旗;  孙静;  任迪远 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2015/09/09 深亚微米  NMOSFET  电子辐照  总剂量效应   Radiation effect of deep-submicron metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and parasitic transistor 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2014, 卷号: 63, 期号: 22 作者:  Wang, X (Wang Xin);  Lu, W (Lu Wu);  Wu, X (Wu Xue);  Ma, WY (Ma Wu-Ying);  Cui, JW (Cui Jiang-Wei)   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2018/02/01 Total Dose Radiation  Nmosfet  Parasitic Transistor  Bandgap Voltage Reference   截止频率53GHz的高性能0．18μm射频nMOSFET 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 1343-1346 作者:  杨荣;  李俊峰;  徐秋霞;  钱鹤;  韩郑生   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/05/26 结构  工艺  射频  Nmosfet   力反馈微加速度计的准静态和阶跃响应模型 期刊论文  OAI收割 机械工程学报, 2004, 期号: 10 车录锋; 徐志农; 熊斌; 王跃林 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/01/06 SOI  nMOSFET  氮注入  电子迁移率  阈值电压