中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [13]
物理研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [9]
iSwitch采集 [5]
内容类型
期刊论文 [12]
会议论文 [2]
发表日期
2013 [1]
2006 [5]
2005 [1]
2002 [4]
2000 [2]
1997 [1]
更多
学科主题
半导体材料 [4]
半导体物理 [3]
光电子学 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共14条,第1-10条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
In-plane optical anisotropy of inas/gasb superlattices with alternate interfaces
期刊论文
iSwitch采集
Nanoscale research letters, 2013, 卷号: 8, 期号: 1
作者:
Wu,Shujie
;
Chen,Yonghai
;
Yu,Jinling
;
Gao,Hansong
;
Jiang,Chongyun
收藏
  |  
Study on in-plane optical anisotropy of semiconductor materials by reflectance difference spectroscopy
期刊论文
iSwitch采集
Spectroscopy and spectral analysis, 2006, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 1185-1189
作者:
Zhao Lei
;
Chen Yong-hai
;
Zuo Yu-hua
;
Wang Hai-ning
;
Shi Wen-hua
收藏
  |  
Evolution of wetting layer in inas/gaas quantum dot system
期刊论文
iSwitch采集
Nanoscale research letters, 2006, 卷号: 1, 期号: 1, 页码: 79-83
作者:
Chen, Y. H.
;
Ye, X. L.
;
Wang, Z. G.
收藏
  |  
Optical anisotropy and strain evolution of GaAs surfaces at the onset of the formation of InAs quantum dots
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 7, 页码: art.no.073507
作者:
Ye XL
;
Xu B
;
Jin P
收藏
  |  
Evolution of wetting layer in InAs/GaAs quantum dot system
期刊论文
OAI收割
nanoscale research letters, 2006, 卷号: 1, 期号: 1, 页码: 79-83
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Ye XL (Ye X. L.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏
  |  
Study on in-plane optical anisotropy of semiconductor materials by reflectance difference spectroscopy
期刊论文
OAI收割
spectroscopy and spectral analysis, 2006, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 1185-1189
Zhao L (Zhao Lei)
;
Chen YH (Chen Yong-hai)
;
Zuo YH (Zuo Yu-hua)
;
Wang HN (Wang Hai-ning)
;
Shi WH (Shi Wen-hua)
收藏
  |  
Interface-related in-plane optical anisotropy of quantum wells studied by reflectance-difference spectroscopy
期刊论文
iSwitch采集
Pricm 5: the fifth pacific rim international conference on advanced materials and processing, pts 1-5, 2005, 卷号: 475-479, 页码: 1777-1781
作者:
Chen, YH
;
Ye, XL
;
Xu, B
;
Zeng, YP
;
Wang, ZG
收藏
  |  
Detection of indium segregation effects in ingaas/gaas quantum wells using reflectance-difference spectrometry
期刊论文
iSwitch采集
Materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2002, 卷号: 91, 页码: 62-65
作者:
Ye, XL
;
Chen, YH
;
Xu, B
;
Wang, ZG
收藏
  |  
Surface segregation of bulk oxygen on oxidation of epitaxially grown Nb-doped SrTiO3 on SrTiO3(001)
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2002, 卷号: 80, 期号: 16, 页码: 2889
Chen, F
;
Zhao, T
;
Fei, YY
;
Lu, HB
;
Chen, ZH
;
Yang, GZ
;
Zhu, XD
收藏
  |  
Detection of indium segregation effects in InGaAs/GaAs quantum wells using reflectance-difference spectrometry
期刊论文
OAI收割
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2002, 卷号: 91, 期号: 0, 页码: 62-65
作者:
Ye XL
;
Xu B
收藏
  |