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浏览/检索结果: 共20条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 SOI衬底上SiGe HBT材料与器件研究 学位论文  OAI收割 博士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2009 陈超 收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2012/03/06 绝缘层上硅(SOI)  含有硅化物埋层的SOI材料  SiGe HBT  三维电路   SOI衬底上SiGe HBT材料和器件研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2009 陈超 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/03/06 绝缘层上硅(SOI)  　含有硅化物埋层的SOI材料  　SiGe HBT  　三维电路　   SIMOXIDE镁合金无铬化学转化工艺 期刊论文  OAI收割 电镀与涂饰, 2008, 期号: 05 卫中领; 沈钰; 李春梅; 陈秋荣; 黄元伟 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/01/06 薄膜厚埋层SOI材料  注氧键合技术  剖面透射电镜   新型硅基GaN外延材料的热应力模拟 会议论文  OAI收割 第六届中国功能材料及其应用学术会议, 2007 王曦; 孙佳胤; 武爱民; 陈静; 王曦 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/01/18 氮化镓 宽禁带半导体材料 SOI衬底 热膨胀系数 反应离子刻蚀   注硅工艺对UNIBOND SOI材料抗辐照性能的影响 会议论文  OAI收割 第六届中国功能材料及其应用学术会议, 2007 武爱民; 陈静; 张恩霞; 杨慧; 张正选; 王曦 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/01/18 SOI材料 注硅工艺 智能剥离 硅离子注入 纳米晶 改性处理 抗辐照性能   采用硅离子注入改进SIMOX埋氧的抗总剂量辐射性能研究(英文) 期刊论文  OAI收割 高能物理与核物理, 2007, 期号: 04 贺威; 张正选; 张恩霞; 钱聪; 田浩; 王曦 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/01/06 SOI材料  功率器件  LDMOS功率   负介电常数材料与负磁导率材料双层结构的透射特性 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2007, 期号: 08 董丽娟; 江海涛; 杨成全; 石云龙 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/01/06 高端硅基材料  绝缘体上硅(SOI)  绝缘体上应变硅(sSOI)  绝缘体上锗(GOI)   基于低温键合技术制备SOI材料的研究 会议论文  OAI收割 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会, 2005 詹达; 马小波; 刘卫丽; 宋志棠; 林梓鑫; 沈勤我 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2012/01/18 SOI材料 等离子体活化 键合强度 低温键合   基因芯片在差异表达研究中测定影响因素的初步探讨 期刊论文  OAI收割 南通医学院学报, 2004, 期号: 02 冒海蕾; 崔之础; 施健; 鞠少卿; 张冬雷; 王惠民; 毛红菊; 赵建龙 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/01/06 SOI材料  氧化铪  薄膜   SiGe源结构SOI器件浮体效应的模拟与分析 会议论文  OAI收割 上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会, 2004 朱鸣; 林青; 张正选; 林成鲁 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/01/18 半导体器件 体硅材料 浮体效应 SOI电路 SiGe源结构