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机构
上海微系统与信息技... [11]
微电子研究所 [4]
采集方式
OAI收割 [15]
内容类型
期刊论文 [12]
学位论文 [2]
会议论文 [1]
发表日期
2008 [3]
2007 [1]
2006 [1]
2005 [5]
2004 [3]
2003 [1]
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隐埋层中二维效应对全耗尽SOI非对称HALO结构阈值电压的影响
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 4,559-562
作者:
许剑
;
丁磊
;
韩郑生
;
钟传杰
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提交时间:2010/05/27
阈值电压
二维效应
全耗尽soi
Halo结构
氢离子注入法提高InAsP/InP应变多量子阱发光特性(英文)
期刊论文
OAI收割
红外与毫米波学报, 2008, 期号: 04
曹萌
;
吴惠桢
;
劳燕峰
;
曹春芳
;
刘成
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提交时间:2012/01/06
氮化硅薄膜
SOI结构
多孔硅外延转移
硅基微结构上的GaN外延生长研究
学位论文
OAI收割
硕士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2008
王曦
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提交时间:2012/03/06
硅基微结构
GaN
热应力
SOI
柔性衬底
非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型
期刊论文
OAI收割
电子器件, 2007, 期号: 6
作者:
许剑
;
钟传杰
;
丁磊
;
韩郑生
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/05/26
阈值电压
表面势
全耗尽soi
Halo结构
碳纳米管场发射机理述评
期刊论文
OAI收割
材料导报, 2006, 期号: 02
张继华
;
杨传仁
;
王曦
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/01/06
绝缘体上硅(SOI)
总剂量辐照效应
环栅结构
H型栅结构
一种新型抗辐照SOI隔离结构
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 4,1291-1294
作者:
司红
;
赵洪辰
;
海潮和
;
韩郑生
;
钱鹤
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提交时间:2010/05/26
隔离结构
抗辐照
Soi
薄sio2
多晶硅
Sio2多层膜
高量程MEMS加速度计封装工艺研究
期刊论文
OAI收割
传感器技术, 2005, 期号: 02
蒋玉齐
;
程迎军
;
许薇
;
张鲲
;
李昕欣
;
罗乐
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提交时间:2012/01/06
低剂量注水
注入能量
SOI结构
通信信号数字调制方式自动识别算法研究
期刊论文
OAI收割
电子与信息学报, 2005, 期号: 02
李杨
;
李国通
;
杨根庆
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提交时间:2012/01/06
SOI新结构
SOIM
GPSOI
GeSiOI
Si on AlN
CDMA通信中干扰抑制的自适应非线性LTJ滤波技术
期刊论文
OAI收割
电子与信息学报, 2005, 期号: 04
梁继业
;
王海江
;
梁旭文
;
杨根庆
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提交时间:2012/01/06
自加热效应
沟道电流
跨导畸变
负微分迁移率
SOI新结构
电化学噪音技术在AB_5型贮氢合金研究中的应用(英文)
期刊论文
OAI收割
稀有金属材料与工程, 2005, 期号: 05
原鲜霞
;
马紫峰
;
徐乃欣
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提交时间:2012/01/06
Si3N4
新结构SOI
自加热效应