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浏览/检索结果: 共81条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Abnormal InGaN growth behavior in indium-desorption regime in metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 409, 期号: 0, 页码: 51-55 作者:  Zhou, K(周堃);  Ikeda, M;  Liu, JP(刘建平);  Zhang, SM(张书明);  Li, ZC(李增成) 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2015/02/03 Growth models  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting III-V materials   Influence of substrate surface defects on the homoepitaxial growth of GaN (0001) by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 416, 页码: 7 作者:  Zhou, K(周堃);  Liu, JP(刘建平);  Ikeda, M;  Zhang, SM(张书明);  Li, DY(李德尧) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/12/31 Surface structure  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting III-V materials   The investigation of GaInP solar cell grown by all-solid MBE 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 378, 期号: 0, 页码: 604-606 作者:  Lu, SL(陆书龙);  Ji, L 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2014/01/15 Molecular beam epitaxy  Semiconducting III-V materials  Solar cells   Hillock formation and suppression on c-plane homoepitaxial GaN Layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 371, 期号: 0, 页码: 7-10 作者:  Li, DY(李德尧);  Zhang, SM(张书明);  Liu, JP(刘建平);  Zhang, LQ(张立群);  Yang, H(杨辉) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2014/01/13 Surface structure  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting III-V materials   Fabrication of ferromagnetic gamnsb by thermal diffusion of evaporated mn 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 316, 期号: 1, 页码: 145-148 作者:  Yang, Guandong;  Zhu, Feng;  Dong, Shan 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/05/12 Diffusion  Physical vapor deposition processes  Magnetic materials  Semiconducting iii-v materials   Fabrication of ferromagnetic GaMnSb by thermal diffusion of evaporated Mn 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 2011, 卷号: 316, 316, 期号: 1, 页码: 145-148, 145-148 作者:  Yang GD;  Zhu F;  Dong S;  Yang, GD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. guandongyang@gmail.com   |  收藏  |  浏览/下载：82/2  |  提交时间：2011/07/05 Diffusion  Physical vapor deposition processes  Magnetic materials  Semiconducting III-V materials  GASB/MN DIGITAL ALLOYS  ROOM-TEMPERATURE FERROMAGNETISM  RAMAN-SCATTERING  MAGNETOTRANSPORT PROPERTIES  EPITAXIAL LAYERS  THIN-FILMS  SEMICONDUCTORS  STRAIN  MAGNETOELECTRONICS  SPINTRONICS  Diffusion  Physical Vapor Deposition Processes  Magnetic Materials  Semiconducting Iii-v Materials  Gasb/mn Digital Alloys  Room-temperature Ferromagnetism  Raman-scattering  Magnetotransport Properties  Epitaxial Layers  Thin-films  Semiconductors  Strain  Magnetoelectronics  Spintronics   Band gap energy and bowing parameter of In-rich InAlN films grown by magnetron sputtering 期刊论文  OAI收割 Applied Surface Science, 2010, 卷号: 256, 期号: 6, 页码: 1812-1816 H. He, Y. G. Cao, R. L. Fu, W. Guo, Z. Huang, M. L. Wang, C. G. Huang, J. Q. Huang and H. Wang 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/11/02 semiconducting III-V materials  InAlN  optical properties  magnetron  sputtering  optical-properties  electronic-structure  absorption-edge  mbe-growth  thin-films  alxin1-xn  sapphire  epitaxy   Influence of v/iii ratio on the structural and photoluminescence properties of in0.52alas/in0.53gaas metamorphic high electron mobility transistor grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 1119-1123 作者:  Gao Hong-Ling;  Zeng Yi-Peng;  Wang Bao-Qiang;  Zhu Zhan-Ping;  Wang Zhan-Guo 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Molecular beam epitaxy  Semiconducting iii-v materials  High electron mobility transistors   Influence of V/III ratio on the structural and photoluminescence properties of In0.52AlAs/In0.53GaAs metamorphic high electron mobility transistor grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 1119-1123 Gao, HL; Zeng, YP; Wang, BQ; Zhu, ZP; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：54/6  |  提交时间：2010/03/08 molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  high electron mobility transistors   Photoluminescence study of algainp/gainp quantum well intermixing induced by zinc impurity diffusion 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 309, 期号: 2, 页码: 140-144 作者:  Lin, T.;  Zheng, K.;  Wang, C. L.;  Ma, X. Y. 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Diffusion  Metalorganic vapor phase epitaxy  Semiconducting iii-v materials  Laser diodes