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浏览/检索结果: 共51条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Lattice Defects and Exfoliation Efficiency of 6H-SiC via H-2(+) Implantation at Elevated Temperature 期刊论文  OAI收割 MATERIALS, 2020, 卷号: 13, 期号: 24 作者:  Wang, Tao;  Yang, Zhen;  Li, Bingsheng;  Xu, Shuai;  Liao, Qing   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2021/12/01 SILICON-CARBIDE  ON-INSULATOR  HYDROGEN IMPLANTATION  SURFACE EXFOLIATION  BUBBLE FORMATION  ION-CUT  IRRADIATION  HELIUM  WAFERS  H+   Anomalous electrical properties induced by hot-electron-injection in 130-nm partially depleted soi nmosfets fabricated on modified wafer 期刊论文  iSwitch采集 Ieee transactions on nuclear science, 2016, 卷号: 63, 期号: 5, 页码: 2731-2737 作者:  Dai, Lihua;  Bi, Dawei;  Ning, Bingxu;  Hu, Zhiyuan;  Song, Lei 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2019/05/09 Buried oxide  Interface trap  Silicon ion implantation  Soi nmosfets  Total dose radiation   Photocarrier Radiometry Characterization of Ultra-shallow Junctions (USJ) in Silicon with Excimer Laser Irradiation 期刊论文  OAI收割 INTERNATIONAL JOURNAL OF THERMOPHYSICS, 2015, 卷号: 36, 期号: 5-6, 页码: 1173-1180 作者:  Wang, Qian;  Li, Bincheng;  Ren, Shengdong;  Wang, Qiang 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2015/09/21 Ion implantation  Laser irradiation  Photocarrier radiometry  Silicon  Ultra-shallow junction   Low frequency noise and radiation response in the partially depleted SOI MOSFETs with ion implanted buried oxide 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 8, 页码: 1-6 作者:  Liu, Y (Liu Yuan);  Chen, HB (Chen Hai-Bo);  Liu, YR (Liu Yu-Rong);  Wang, X (Wang Xin);  En, YF (En Yun-Fei)   |  收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2018/01/25 SilicOn On Insulator  Ion implantatIon  Ionizing Radiation  Low Frequency Noise   Evolution of amorphization and nanohardness in SiC under Xe ion irradiation 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS, 2014, 卷号: 454, 期号: 42007, 页码: 173—177 Li, JJ; Huang, HF; Lei, GH; Huang, Q; Liu, RD; Li, DH; Yan, L 收藏  |  浏览/下载：168/0  |  提交时间：2015/03/13 SILICON-CARBIDE  MECHANICAL-PROPERTIES  NEUTRON-IRRADIATION  RAMAN-SPECTROSCOPY  HEAVY-ION  DAMAGE  BEAM  INDENTATION  IMPLANTATION  TEMPERATURE   Characterization of Silicon Wafers with Combined Photocarrier Radiometry and Free Carrier Absorption 期刊论文  OAI收割 INTERNATIONAL JOURNAL OF THERMOPHYSICS, 2013, 卷号: 34, 期号: 8-9, 页码: 1735-1745 作者:  Li, Bincheng;  Huang, Qiuping;  Ren, Shengdong 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2015/04/17 Electronic transport properties  Free carrier absorption  Ion implantation  Photocarrier radiometry  Silicon  Thermal annealing   Combined frequency- and time-domain photocarrier radiometry characterization of ion-implanted and thermally annealed silicon wafers 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22, 期号: 5 作者:  Ren Sheng-Dong;  Li Bin-Cheng;  Gao Li-Feng;  Wang Qian 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2015/04/17 photocarrier radiometry  ion implantation  effective lifetime  silicon   Tailoring the structure and property of silicon-doped diamond-like carbon films by controlling the silicon content 期刊论文  OAI收割 Surface & Coatings Technology, 2013, 卷号: 235, 页码: 326-332 作者:  Wang JJ(王军军);  Pu JB(蒲吉斌);  Zhang GA(张广安);  Wang LP(王立平);  Wang LP(王立平) 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/12/03 Silicon-doped diamond-like carbon film  Hollow cathode plasma immersion ion implantation method  Tribological property  Mechanical property   Characterization of Arsenic Ultra-Shallow Junctions in Silicon Using Photocarrier Radiometry and Spectroscopic Ellipsometry 期刊论文  OAI收割 INTERNATIONAL JOURNAL OF THERMOPHYSICS, 2012, 卷号: 33, 期号: 10-11, 页码: 2082-2088 作者:  Huang, Qiuping;  Li, Bincheng;  Gao, Weidong 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2015/07/10 Ion implantation  Photocarrier radiometry  Silicon  Spectroscopic ellipsometry  Ultra-shallow junction   Transportation of carriers in silicon implanted SiO2 films during ionizing radiation 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2012, 卷号: 272, 页码: 266-270 Chen, M; Zhang, ZX; Wei, X; Bi, DW; Zou, SC; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/04/17 Silicon dioxide  Ion implantation  Total ionizing dose  Carrier transportation