机构

• 半导体研究所 [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2006 [1]
• 2003 [2]
• 2002 [3]

学科主题

• 半导体物理 [4]
• 半导体材料 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 380-383 Zhao YW (Zhao Y. W.); Dong ZY (Dong Z. Y.); Deng AH (Deng A. H.) 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/04/11 indium phosphide  defect  irradiation  THERMALLY STIMULATED CURRENT  UNDOPED SEMIINSULATING INP  DEEP-LEVEL DEFECTS  FRENKEL PAIRS  FE  SPECTROSCOPY  PHOSPHIDE  AMBIENT  TRAPS   Influence of semi-insulating InP substrates on InAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 364-369 Dong HW; Zhao YW; Zeng YP; Jiao JH; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/12 diffusion  interfaces  substrates  molecular beam epitaxy  phosphides  semiconducting indium phosphide  UNDOPED SEMIINSULATING INP  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHOSPHIDE VAPOR  FE  INTERFACE  PHOTOLUMINESCENCE  WAFER  UNIFORMITY  DIFFUSION  PRESSURE   Effects of annealing ambient on the formation of compensation defects in InP 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 2, 页码: 930-932 Deng AH; Mascher P; Zhao YW; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 UNDOPED SEMIINSULATING INP  LOW FE CONTENT  POSITRON-LIFETIME  PHASE EPITAXY  PRESSURE  VACANCY  INDIUM  ANNIHILATION  PHOSPHIDE  WAFERS   Positron-annihilation study of compensation defects in InP 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2002, 卷号: 91, 期号: 4, 页码: 1998-2001 Shan YY; Deng AH; Ling CC; Fung S; Ling CD; Zhao YW; Sun TN; Sun NF 收藏  |  浏览/下载：106/9  |  提交时间：2010/08/12 UNDOPED SEMIINSULATING INP  INDIUM-PHOSPHIDE  LIFETIME  VACANCY  MECHANISMS  ACCEPTOR  GROWTH  GAAS   Fe-diffusion-induced defects in InP annealed in iron phosphide ambient 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2002, 卷号: 41, 期号: 4a, 页码: 1929-1931 Zhao YW; Dong HW; Jiao JH; Zhao JQ; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：100/7  |  提交时间：2010/08/12 indium phosphide  annealing  semi-insulating  defect  diffusion  ENCAPSULATED CZOCHRALSKI INP  SEMIINSULATING INP  PHOTO-LUMINESCENCE  INDIUM-PHOSPHIDE  UNDOPED INP  PHOTOLUMINESCENCE  CRYSTALS  PRESSURE   Deep levels in semi-insulating InP obtained by annealing under iron phosphide ambiance 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2002, 卷号: 92, 期号: 4, 页码: 1968-1970 Dong HW; Zhao YW; Zhang YH; Jiao JH; Zhao JQ; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：75/15  |  提交时间：2010/08/12 FE-DOPED INP  SEMIINSULATING INP  UNDOPED INP  SPECTROSCOPY  WAFER  UNIFORMITY  PRESSURE  TRAPS