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发表日期

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浏览/检索结果: 共27条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Defect-Induced Nucleation and Epitaxy: A New Strategy toward the Rational Synthesis of WZ-GaN/3C-SiC Core-Shell Heterostructures 期刊论文  OAI收割 NANO LETTERS, 2015, 卷号: 15, 期号: 12, 页码: 7837-7846 Liu, Baodan; Yang, Bing; Yuan, Fang; Liu, Qingyun; Shi, Dan; Jiang, Chunhai; Zhang, Jinsong; Staedler, Thorsten; Jiang, Xin 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2016/04/21 Wurtzite GaN  3C-SiC  core-shell heterostructure  stacking faults  confined epitaxial growth   Valence band offset of β-ga2o3/wurtzite gan heterostructure measured by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文  iSwitch采集 Nanoscale research letters, 2012, 卷号: 7, 期号: 1 作者:  Wei,Wei;  Qin,Zhixin;  Fan,Shunfei;  Li,Zhiwei;  Shi,Kai 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 β-ga2o3/wurtzite gan heterostructure  Band offset  X-ray photoelectron spectroscopy   Measurement of w-InN/h-BN Heterojunction Band Offsets by X-Ray Photoemission Spectroscopy 期刊论文  OAI收割 nanoscale research letters, 2010, 卷号: 5, 期号: 8, 页码: 1340-1343 Liu JM (Liu J. M.); Liu XL (Liu X. L.); Xu XQ (Xu X. Q.); Wang J (Wang J.); Li CM (Li C. M.); Wei HY (Wei H. Y.); Yang SY (Yang S. Y.); Zhu QS (Zhu Q. S.); Fan YM (Fan Y. M.); Zhang XW (Zhang X. W.); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：156/21  |  提交时间：2010/08/17 Valence band offset  w-InN/h-BN heterojunction  X-ray photoelectron spectroscopy  Conduction band offset  Valence band offset  NEGATIVE ELECTRON-AFFINITY  INDIUM NITRIDE  WURTZITE GAN  SURFACE  FILM  ALN  TRANSPORT  EMISSION  NAXWO3  GROWTH   Electronic and Optical Properties of Rock-Salt AlN under High Pressure via First-Principles Analysis 期刊论文  OAI收割 Communications in Theoretical Physics, 2008, 卷号: 50, 期号: 4, 页码: 990-994 W. Zhang; X. R. Chen; L. C. Cai; Q. Q. Gou 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/04/13 semiconductors  electronic band structure  optical properties  density  functional theory  aluminum nitride  wurtzite  zincblende  gan  films  inn   Effect of Nitridation on Morphology, Structural Properties and Stress of AIN Films 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 4364-4367 作者:  Wei HY;  Jiao CM 收藏  |  浏览/下载：190/45  |  提交时间：2010/03/08 TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY  WURTZITE-TYPE CRYSTALS  VAPOR-PHASE EPITAXY  INTRINSIC STRESS  SAPPHIRE SURFACE  THIN-FILMS  GAN  GROWTH  DIFFRACTION  MECHANISM   Using different carrier gases to control AlN film stress and the effect on morphology, structural properties and optical properties 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 23, 页码: 7462-7466 Hu, WG; Liu, XL; Jiao, CM; Wei, HY; Kang, TT; Zhang, PF; Zhang, RQ; Fan, HB; Zhu, QS 收藏  |  浏览/下载：71/4  |  提交时间：2010/03/08 VAPOR-PHASE EPITAXY  WURTZITE-TYPE CRYSTALS  THIN-FILMS  ALUMINUM NITRIDE  INTRINSIC STRESS  GAN  SAPPHIRE  AIN  DEPOSITION  STRAIN   A study of the chemical reactions involved in Li-Ca-N system 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2006, 卷号: 290, 期号: 2, 页码: 621 Yuan, WX; Li, J; Wang, G; Cheng, AG; Zhao, X 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/09/17 GAN SINGLE-CRYSTALS  TRANSITION-METAL NITRIDES  LITHIUM NITRIDE  HEAT-CAPACITY  WURTZITE GAN  GROWTH  TEMPERATURE  CHEMISTRY  ROUTES   Transition phase and thermodynamic properties of GaN via first-principles calculations 期刊论文  OAI收割 Solid State Communications, 2005, 卷号: 136, 期号: 3, 页码: 152-156 L. Y. Lu; X. R. Chen; Y. Cheng; J. Z. Zhao 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/05/17 GaN  thermodynamic properties  transition phase  generalized gradient approximation  molecular-beam epitaxy  iii-v  nitrides  gallium nitride  high-pressure  plane-wave  stability  wurtzite  growth  pseudopotentials   Transition phase and thermodynamic properties of GaN via first-principles calculations 期刊论文  OAI收割 Solid State Communications, 2005, 卷号: 136, 期号: 3, 页码: 152-156 L. Y. Lu; X. R. Chen; Y. Cheng; J. Z. Zhao 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/04/14 GaN  thermodynamic properties  transition phase  generalized gradient approximation  molecular-beam epitaxy  iii-v  nitrides  gallium nitride  high-pressure  plane-wave  stability  wurtzite  growth  pseudopotentials   Growth of bulk GaN single crystals by flux method 期刊论文  OAI收割 SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS, 2005, 卷号: 6, 期号: 7, 页码: 766 Chen, XL 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/09/17 LIGHT-EMITTING-DIODES  THERMAL-DECOMPOSITION  NITROGEN SYSTEM  WURTZITE GAN  LI3N  TEMPERATURE  LITHIUM  HEAT  NA