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Evidence of defect-annealing effect in swift heavy-ion-irradiated indium phosphide
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF RAMAN SPECTROSCOPY, 2022, 页码: 9
作者:
Hu, Peipei
;
Xu, Lijun
;
Zhai, Pengfei
;
Zeng, Jian
;
Zhang, Shengxia
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提交时间:2022/04/11
defect-annealing
heavy ions
InP
Raman intensity
Defect types and room-temperature ferromagnetism in undoped rutile TiO2 single crystals
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22, 期号: 3, 页码: 37504
作者:
Li DX(李东翔)
;
Qin XB(秦秀波)
;
郑黎荣;Li, DX
;
Qin, XB
;
Zheng, LR
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提交时间:2016/04/08
annealing
oxygen vacancies
Ti3+-V-O defect complexes
ferromagnetism
Defect types and room-temperature ferromagnetism in undoped rutile TiO_2 single crystals
期刊论文
OAI收割
Chinese Physics B, 2013, 期号: 3, 页码: 495-498
作者:
Li DX(李东翔)
;
Qin XB(秦秀波)
;
Li DX(李东翔)
;
Zheng LR(郑黎荣)
;
Li YX(李玉晓)
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2015/12/25
annealing
oxygen vacancies
Ti3+-V O defect complexes
ferromagnetism
Positron annihilation study on CuInSe2 solar cell thin films
期刊论文
OAI收割
THIN SOLID FILMS, 2012, 卷号: 525, 页码: 68-72
作者:
Zhang, LJ
;
Wang, T
;
刘景;李延春
;
Li, J
;
Hao, YP
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提交时间:2016/04/08
Copper indium selenide
Annealing
Positron annihilation
Defect layer
How thick SiO(2) cap layer is needed to achieve strong visible photoluminescence from SiO(2)-buffered SiN(x) films?
期刊论文
OAI收割
Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures, 2010, 卷号: 42, 期号: 8, 页码: 2016-2020
M. Xu
;
Q. Y. Chen
;
S. Xu
;
K. Ostrikov
;
Y. Wei
;
Y. C. Ee
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提交时间:2012/04/13
SiNx film
SiO(2)
Annealing
Photoluminescence
silicon oxynitride
si0.7ge0.3 layers
defect spectrum
nanostructures
luminescence
morphology
devices
origin
growth
Luminescence of Native Defects in MgGa2O4
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2009, 卷号: 156, 期号: 1, 页码: H43-H46
作者:
Liu, Zhongshi
;
Hu, Peng
;
Jing, Xiping
;
Wang, Lingxuan
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提交时间:2019/04/09
Annealing
Defect States
Magnesium Compounds
Paramagnetic Resonance
Photoluminescence
Powders
Generation and suppression of deep level defects in inp
期刊论文
iSwitch采集
Acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 3, 页码: 1476-1479
作者:
Zhao You-Wen
;
Dong Zhi-Yuan
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提交时间:2019/05/12
Indium phosphide
Annealing
Defect
Fe-diffusion-induced defects in inp annealed in iron phosphide ambient
期刊论文
iSwitch采集
Japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2002, 卷号: 41, 期号: 4a, 页码: 1929-1931
作者:
Zhao, YW
;
Dong, HW
;
Jiao, JH
;
Zhao, JQ
;
Lin, LY
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提交时间:2019/05/12
Indium phosphide
Annealing
Semi-insulating
Defect
Diffusion
Fe-diffusion-induced defects in InP annealed in iron phosphide ambient
期刊论文
OAI收割
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 2002, 卷号: 41, 期号: 4A, 页码: 1929-1931
作者:
Zhao, YW
;
Dong, HW
;
Jiao, JH
;
Zhao, JQ
;
Lin, LY
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提交时间:2021/02/02
indium phosphide
annealing
semi-insulating
defect
diffusion
Fe-diffusion-induced defects in InP annealed in iron phosphide ambient
期刊论文
OAI收割
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 2002, 卷号: 41, 期号: 4A, 页码: 1929-1931
作者:
Zhao, YW
;
Dong, HW
;
Jiao, JH
;
Zhao, JQ
;
Lin, LY
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提交时间:2021/02/02
indium phosphide
annealing
semi-insulating
defect
diffusion