机构

• 半导体研究所 [16]
• 金属研究所 [2]
• 高能物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [11]
• iSwitch采集 [8]

内容类型

• 期刊论文 [17]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2017 [1]
• 2006 [3]
• 2001 [1]
• 2000 [8]
• 1999 [2]
• 1998 [4]
• 更多

学科主题

• 半导体物理 [4]
• 半导体材料 [3]
• 光电子学 [1]
• 半导体器件 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共19条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Identifying defect energy levels using dlts under different electron irradiation conditions 期刊论文  iSwitch采集 Nuclear science and techniques, 2017, 卷号: 28, 期号: 12, 页码: 7 作者:  Guo, Chun-Sheng;  Wang, Ruo-Min;  Zhang, Yu-Wei;  Pei, Guo-Xi;  Feng, Shi-Wei 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2019/04/23 Electron irradiation  Deep level transient spectroscopy (dlts)  Minority carrier life time  Silicon diode   Development of current-based microscopic defect analysis method using optical filling techniques for the defect study on heavily irradiated high-resistivity si sensors/detectors 期刊论文  iSwitch采集 Materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 283-287 作者:  Li, Z.;  Li, C. J. 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Dlts  Defects  Detectors  Sensors  Current transient   Development of current-based microscopic defect analysis method using optical filling techniques for the defect study on heavily irradiated high-resistivity Si sensors/detectors 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 283-287 Li Z (Li Z.); Li CJ (Li C. J.) 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/04/11 DLTS  defects  detectors  sensors  current transient  SILICON DETECTORS   Development of current-based microscopic defect analysis method using optical filling techniques for the defect study on heavily irradiated high-resistivity Si sensors/detectors 会议论文  OAI收割 11th conference on defects recognition imaging and physics in semiconductors, beijing, peoples r china, sep 13-19, 2005 Li, Z (Li, Z.); Li, CJ (Li, C. J.) 收藏  |  浏览/下载：315/15  |  提交时间：2010/03/29 DLTS   The role of silicon oxide layers in luminescence of ensembles of silicon quantum dots 期刊论文  OAI收割 Communications in Theoretical Physics, 2001, 卷号: 35, 期号: 3, 页码: 371-380 S. H. Wang; G. Y. Qin; S. F. Ren; G. G. Qin 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/04/14 silicon oxide layer  quantum dot  luminescence  porous silicon  si nanocrystals  photoluminescence  mechanism  states  electroluminescence  sio2-films  films  dlts   Studies of high dc current induced degradation in iii-v nitride based heterojunctions 期刊论文  iSwitch采集 Ieee transactions on electron devices, 2000, 卷号: 47, 期号: 7, 页码: 1421-1425 作者:  Ho, WY;  Surya, C;  Tong, KY;  Lu, LW;  Ge, WK 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/05/12 Current stressing  Dlts  Flicker noise  Heterojunctions  Iii-v nitride   Electronic characteristics of inas self-assembled quantum dots 期刊论文  iSwitch采集 Physica e, 2000, 卷号: 7, 期号: 3-4, 页码: 383-387 作者:  Wang, HL;  Feng, SL;  Zhu, HJ;  Ning, D;  Chen, F 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Inas/gaas quantum dots  Self-assembled structure  Dlts  Pl  Band offset   Multiple mechanism model for photoluminescence from oxidized porous Si 期刊论文  OAI收割 Physica Status Solidi a-Applied Research, 2000, 卷号: 182, 期号: 1, 页码: 335-339 G. G. Qin; G. Qin 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/04/14 silicon  luminescence  states  layers  oxygen  dlts   Electronic characteristics of InAs/GaAs self-assembled quantum dots by deep level transient spectroscopy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 107-112 Wang HL; Ning D; Zhu HJ; Chen F; Wang H; Wang XD; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/08/12 self-assembled quantum dots  InAs/GaAs  DLTS  PL  activation energy  capture barrier  ENERGY-LEVELS  CARRIER RELAXATION  GROWTH   Electronic characteristics of InAs self-assembled quantum dots 会议论文  OAI收割 9th international conference on modulated semiconductor structures (mss9), fukuoka, japan, jul 12-16, 1999 Wang HL; Feng SL; Zhu HJ; Ning D; Chen F 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/15 InAs/GaAs quantum dots  self-assembled structure  DLTS  PL  band offset  ENERGY-LEVELS  CARRIER RELAXATION  SPECTROSCOPY