机构

• 半导体研究所 [8]
• 金属研究所 [2]
• 物理研究所 [1]
• 上海微系统与信息技术... [1]

采集方式

• OAI收割 [8]
• iSwitch采集 [4]

内容类型

• 期刊论文 [11]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2009 [2]
• 2008 [1]
• 2005 [3]
• 2003 [1]
• 2001 [4]
• 1995 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [2]
• 半导体物理 [2]
• Engineerin... [1]

筛选

浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Room temperature photoluminescence of tensile-strained ge/si0.13ge0.87 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 14, 页码: 3 作者:  Chen, Yanghua;  Li, Cheng;  Zhou, Zhiwen;  Lai, Hongkai;  Chen, Songyan 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2019/05/12 Chemical vapour deposition  Elemental semiconductors  Energy gap  Germanium  Ge-si alloys  Photoluminescence  Semiconductor epitaxial layers  Semiconductor quantum wells  Silicon  Tensile strength   Room temperature photoluminescence of tensile-strained Ge/Si0.13Ge0.87 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 14, 页码: art. no. 141902 Chen YH; Li C; Zhou ZW; Lai HK; Chen SY; Ding WC; Cheng BW; Yu YD 收藏  |  浏览/下载：101/14  |  提交时间：2010/03/08 chemical vapour deposition  elemental semiconductors  energy gap  germanium  Ge-Si alloys  photoluminescence  semiconductor epitaxial layers  semiconductor quantum wells  silicon  tensile strength   Small sige quantum dots obtained by excimer laser annealing 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 16, 页码: 3746-3751 作者:  Han, Genquan;  Zeng, Yugang;  Liu, Yan;  Yu, Jinzhong;  Cheng, Buwen 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2019/05/12 Diffusion  Atomic force microscopy  Germanium silicon alloys   In situ doping control for growth of n-p-n si/sige/si heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 273, 期号: 3-4, 页码: 381-385 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Liu, C 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Doping  Molecular beam epitaxy  Germanium silicon alloys  Semiconducting germanium  Semiconducting silicon  Bipolar transistors   In situ doping control for growth of n-p-n Si/SiGe/Si heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2005, 卷号: 273, 期号: 3-4, 页码: 381-385 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Liu, C   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2021/02/02 doping  molecular beam epitaxy  germanium silicon alloys  semiconducting germanium  semiconducting silicon  bipolar transistors   Interfacial characteristics of fully depleted SiGe-on-insulator (SGOI) substrate fabricated by modified Ge condensation 期刊论文  OAI收割 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2005, 卷号: 20, 期号: 8, 页码: L31-L35 Di, ZF; Zhang, M; Liu, WL; Luo, SH; Song, ZT; Lin, CL; Lin, Q; Chu, PK 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/03/24 ELECTRON-MOBILITY ENHANCEMENT  STRAINED-SI  DIFFUSION  OXIDATION  GERMANIUM  SILICON  ALLOYS   Effects of hydrostatic pressure on Raman scattering in Ge quantum dot superlattices 期刊论文  OAI收割 THIN SOLID FILMS, 2003, 卷号: 424, 期号: 1, 页码: 23 Qin, L; Shen, ZX; Teo, KL; Peng, CS; Zhou, JM; Tung, CH; Tang, SH 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/09/17 SI  GERMANIUM  PHONONS  ISLANDS  SI(001)  SEMICONDUCTORS  SILICON  ALLOYS   Effects of annealing time and si cap layer thickness on the si/sige/si heterostructures thermal stability 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 页码: 766-769 作者:  Gao, F;  Lin, YX;  Huang, DD;  Li, JP;  Sun, DZ 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Annealing  Molecular beam epitaxy  Germanium silicon alloys  Semiconducting materials   Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2001, 卷号: 227, 页码: 766-769 作者:  Gao, F;  Lin, YX;  Huang, DD;  Li, JP;  Sun, DZ   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2021/02/02 annealing  molecular beam epitaxy  germanium silicon alloys  semiconducting materials   Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 766-769 Gao F; Lin YX; Huang DD; Li JP; Sun DZ; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：111/14  |  提交时间：2010/08/12 annealing  molecular beam epitaxy  germanium silicon alloys  semiconducting materials  STRAIN RELAXATION