机构

• 半导体研究所 [12]
• 物理研究所 [1]
• 福建物质结构研究所 [1]
• 近代物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [13]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [14]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2010 [1]
• 2006 [2]
• 2001 [1]
• 2000 [5]
• 1999 [2]
• 1998 [2]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [4]
• 光电子学 [3]
• 半导体物理 [3]

筛选

浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The Transition between Conformal Atomic Layer Epitaxy and Nanowire Growth 期刊论文  OAI收割 Journal of the American Chemical Society, 2010, 卷号: 132, 期号: 22, 页码: 7592-+ R. B. Yang, N. Zakharov, O. Moutanabbir, K. Scheerschmidt, L. M. Wu, U. Gosele, J. Bachmann and K. Nielsch 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2012/11/02 molecular-beam epitaxy  low-temperature  core-shell  semiconductor  nanowires  silicon nanowires  gaas nanowires  vls growth  heterostructures  nanorods  si   Experimental study of a pulsed ytterbium-doped fibre laser with fast and slow saturable absorbers in a linear cavity 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 7, 页码: 1790-1792 Gan Y (Gan Yu); Xiang WH (Xiang Wang-Hua); Zhou XF (Zhou Xiao-Fang); Zhang GZ (Zhang Gui-Zhong); Zhang B (Zhang Bing); Wang YG (Wang Yong-Gang); Ma XY (Ma Xiao-Yu) 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/04/11 MODE-LOCKING  RING LASER  LOW-TEMPERATURE  GENERATION  GAAS   GaAs absorber grown at low temperature used in passively Q-switched diode pumped solid state laser 期刊论文  OAI收割 optica applicata, 2006, 卷号: 36, 期号: 1, 页码: 23-28 Wang YG (Wang Yonggang); Ma XY (Ma Xiaoyu); Wang CL (Wang Cuiluan); Lin T (Lin Tao); Zhen K (Zhen Kai); Wang J (Wang Jun); Zhong L (Zhong Li); Jia YL (Jia YuLei); Wei ZY (Wei ZhiYi) 收藏  |  浏览/下载：88/0  |  提交时间：2010/04/11 GaAs  low temperature  Q-switch  Nd : YVO4 laser  YAG   Effect of InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.4) capping layer on self-assembled 1.3 mu m wavelength InAs/GaAs quantum islands 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 3, 页码: 363-368 Wang XD; Niu ZC; Feng SL; Miao ZH 收藏  |  浏览/下载：102/3  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  low dimensional structures  optical microscopy  molecular beam epitaxy  nanomaterials  semiconducting III-V materials  laser diodes  TEMPERATURE-DEPENDENCE  M PHOTOLUMINESCENCE  INGAAS OVERGROWTH  GAAS  DOTS  EMISSION  ENERGY  LASER   Formation of inas quantum dots on low-temperature gaas epi-layer 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 209-213 作者:  Wang, XD;  Niu, ZC;  Wang, H;  Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum dot  Low-temperature gaas  As precipitates  Annealing  Tem  Pl   Study of self-assembled inas quantum dots grown on low temperature gaas epi-layer 期刊论文  iSwitch采集 Journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 177-180 作者:  Wang, XD;  Wang, H;  Wang, HL;  Niu, ZC;  Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Inas quantum dots  Low temperature gaas  As precipitates   Formation of InAs quantum dots on low-temperature GaAs epi-layer 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 209-213 Wang XD; Niu ZC; Wang H; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dot  low-temperature GaAs  As precipitates  annealing  TEM  PL  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ISLANDS  GROWTH  SURFACES   Investigation of defects in low-temperature-grown GaAs using optical transient spectroscopy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 351-354 Zhang YH; Lu LW; Zhang MH; Huang Q; Bao CL; Zhou JM 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/08/12 low-temperature-grown GaAs  optical transient spectroscopy  BEAM-EPITAXIAL GAAS   Study of self-assembled InAs quantum dots grown on low temperature GaAs epi-layer 期刊论文  OAI收割 journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 177-180 Wang XD; Wang H; Wang HL; Niu ZC; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2010/08/12 InAs quantum dots  low temperature GaAs  As precipitates  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  DEPENDENCE   Positron beam study of low-temperature-grown GaAs with aluminum delta layers 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 1999, 卷号: 149, 页码: 159-164 作者:  Fleischer, S;  Hu, YF;  Beling, CD;  Fung, S;  Smith, TL   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2018/05/31 positron beam  low-temperature-grown GaAs  aluminum delta layers