机构

• 中国科学院大学 [2]
• 高能物理研究所 [1]
• 半导体研究所 [1]
• 合肥物质科学研究院 [1]
• 上海硅酸盐研究所 [1]

采集方式

• iSwitch采集 [4]
• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2018 [1]
• 2017 [2]
• 2016 [2]
• 2007 [1]

学科主题

• Materials ... [1]
• Nanoscienc... [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Enhanced Thermoelectric Performance in n-Type Bi2Te3-Based Alloys via Suppressing Intrinsic Excitation 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2018, 卷号: 10, 期号: 25, 页码: 21372, 21380 作者:  Hao, Feng;  Xing, Tong;  Qiu, Pengfei;  Hu, Ping;  Wei, Tianran   |  收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2018/12/28 thermoelectric  bismuth telluride  intrinsic excitation  minority carrier  power generation   Identifying defect energy levels using dlts under different electron irradiation conditions 期刊论文  iSwitch采集 Nuclear science and techniques, 2017, 卷号: 28, 期号: 12, 页码: 7 作者:  Guo, Chun-Sheng;  Wang, Ruo-Min 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2019/04/23 Electron irradiation  Deep level transient spectroscopy (dlts)  Minority carrier life time  Silicon diode   Effect of Sn doping on improvement of minority carrier lifetime of Fe contaminated p-type multi-crystalline Si ingot 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2017, 卷号: 458, 期号: 无, 页码: 66-71 作者:  Sun, Jifei;  He, Qiuxiang;  Ban, Boyuan;  Bai, Xiaolong;  Li, Jingwei   |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2017/11/23 Minority Carrier Lifetime  Doping  Impurities  Directional Solidification  Multi-crystalline Si   Phosphorous diffusion gettering of n-type cz silicon wafers for improving the performances of silicon heterojunction solar cells 期刊论文  iSwitch采集 Solar energy materials and solar cells, 2016, 卷号: 157, 页码: 74-78 作者:  Zhu, Fangzhou;  Wang, Dongliang;  Bian, Jiantao;  Liu, Jinning;  Liu, Zhengxin 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2019/05/09 Phosphorus diffusion gettering  N-type silicon wafer  Minority carrier lifetime  Heterojunction solar cell   Passivation effect of atomic layer deposition of al2o3 film on hgcdte infrared detectors 期刊论文  iSwitch采集 Journal of electronic materials, 2016, 卷号: 45, 期号: 9, 页码: 4716-4720 作者:  Zhang, Peng;  Ye, Zhen-Hua;  Sun, Chang-Hong;  Chen, Yi-Yu;  Zhang, Tian-Ning 收藏  |  浏览/下载：90/0  |  提交时间：2019/05/09 Ald al2o3  Minority carrier lifetime  C-v characteristics  R-v characteristics  Baking stability   A study on the minority carrier diffusion length in n-type gan films 期刊论文  iSwitch采集 Rare metals, 2007, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 271-275 作者:  Deng Dongmei;  Zhao Degang;  Wang Jinyan;  Yang Hui;  Wen Cheng Paul 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2019/05/12 Compound semiconductor material  Minority carrier diffusion length  Photovoltaic spectrum  Gan