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  • OAI收割 [471]
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发表日期
  • 1998 [471]
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浏览/检索结果: 共471条，第1-10条 帮助

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Method for fabricating a semiconductor device by selectively controlling growth of an epitaxial layer without a mask 专利  OAI收割
专利号: US5854089, 申请日期: 1998-12-29, 公开日期: 1998-12-29
作者:  NAKATSU, HIROSHI
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Method of manufacturing wafer bonded semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: US5854090, 申请日期: 1998-12-29, 公开日期: 1998-12-29
作者:  IWAI, NORIHIRO;  KASUKAWA, AKIHIKO
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Method of manufacturing an optical semiconductor device 专利  OAI收割
专利号: US5854087, 申请日期: 1998-12-29, 公开日期: 1998-12-29
作者:  KURATA, KAZUHIKO
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面発光型半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2864258B2, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1999-03-03
作者:  古沢 浩太郎;  茨木 晃;  川島 健児;  石川 徹
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP2865325B2, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1999-03-08
作者:  鈴木 信夫
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Semiconductor laser and method for fabricating the same 专利  OAI收割
专利号: US5850410, 申请日期: 1998-12-15, 公开日期: 1998-12-15
作者:  KURAMATA, AKITO
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歪量子井戸型半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP2861166B2, 申请日期: 1998-12-11, 公开日期: 1999-02-24
作者:  石川 信
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Coupling a semiconductor device to an optical fibre 专利  OAI收割
专利号: GB2326020A, 申请日期: 1998-12-09, 公开日期: 1998-12-09
作者:  JEAN-PIERRE WEBER
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Expansion-matched high-thermal-conductivity stress-relieved mounting modules 专利  OAI收割
专利号: US5848083, 申请日期: 1998-12-08, 公开日期: 1998-12-08
作者:  HADEN, JAMES M.;  STASKUS, MICHAEL P.
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Insulated water cooled gain medium assembly for a laser system 专利  OAI收割
专利号: US5848081, 申请日期: 1998-12-08, 公开日期: 1998-12-08
作者:  REED, EDWARD D.;  HOBART, JAMES
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