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  • 1996 [272]
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半導体レーザ素子の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1996340151A, 申请日期: 1996-12-24, 公开日期: 1996-12-24
作者:  松原 邦雄
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面発光型半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1996340146A, 申请日期: 1996-12-24, 公开日期: 1996-12-24
作者:  魚見 和久;  篠田 和典;  奥野 八重;  佐川 みすず;  平本 清久
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半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP2591333B2, 申请日期: 1996-12-19, 公开日期: 1997-03-19
作者:  麻多 進
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半導体発光装置 专利  OAI收割
专利号: JP2593845B2, 申请日期: 1996-12-19, 公开日期: 1997-03-26
作者:  石橋 晃;  石川 秀人;  森 芳文
  |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP1996330666A, 申请日期: 1996-12-13, 公开日期: 1996-12-13
作者:  山田 由美;  藤本 毅;  室 清文
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13
Photoluminescence studies on the interaction of near-surface gaas/alxga1-xas quantum wells with chemical adsorbates 期刊论文  iSwitch采集
Journal of photochemistry and photobiology a-chemistry, 1996, 卷号: 101, 期号: 2-3, 页码: 113-117
作者:  Liu, Y;  Xiao, XR;  Li, XP;  Xu, ZY;  Yuan, ZL
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12
半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP2586349B2, 申请日期: 1996-12-05, 公开日期: 1997-02-26
作者:  黒田 尚孝;  岩田 普
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AlGaInP系半導体レーザとその製法 专利  OAI收割
专利号: JP2586826B2, 申请日期: 1996-12-05, 公开日期: 1997-03-05
作者:  池田 昌夫
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半導体レーザー 专利  OAI收割
专利号: JP1996321658A, 申请日期: 1996-12-03, 公开日期: 1996-12-03
作者:  浜口 雄一
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半導体装置および半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1996316574A, 申请日期: 1996-11-29, 公开日期: 1996-11-29
作者:  菱田 有二;  吉江 睦之
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