机构

• 半导体研究所 [21]

采集方式

• OAI收割 [21]

内容类型

• 期刊论文 [21]

发表日期

• 2005 [21]

学科主题

• 半导体材料 [21]

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浏览/检索结果: 共21条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2005    学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Intersubband optical absorption in quantum dots-in-a-well heterostructures 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2005, 卷号: 98, 期号: 5, 页码: art.no.053703 Han, XX; Li, JM; Wu, JJ; Cong, GW; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：112/42  |  提交时间：2010/03/17 INFRARED PHOTODETECTORS   Interband and intraband photocurrent of self-assembled InAs/InAlAs/InP nanostructures 期刊论文  OAI收割 nanotechnology, 2005, 卷号: 16, 期号: 12, 页码: 2785-2789 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/04/11 DOT INFRARED PHOTODETECTORS  INAS/GAAS QUANTUM DOTS  ROOM-TEMPERATURE  SPECTROSCOPY  PHOTOCONDUCTIVITY  HETEROSTRUCTURES  TRANSITIONS  LASERS  WELLS  INP   Rapid thermal annealing effects on structural and optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots capped by InAlAs/InGaAs layers 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 967-970 Lu, W; Li, DB; Zhang, ZY; Li, CR; Zhang, Z; Xu, B; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/03/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Quantum-dot growth simulation on periodic stress of substrate 期刊论文  OAI收割 journal of chemical physics, 2005, 卷号: 123, 期号: 9, 页码: art.no.094708 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：149/46  |  提交时间：2010/03/17 KINETIC MONTE-CARLO   InAs/GaAs quantum-dot superluminescent diodes with 110 nm bandwidth 期刊论文  OAI收割 electronics letters, 2005, 卷号: 41, 期号: 25, 页码: 1400-1402 作者:  Jin P 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/04/11 SPECTRUM   The structural and photoluminescence character of InAs quantum dots grown on a combined InAlAs and GaAs strained buffer 期刊论文  OAI收割 pricm 5: the fifth pacific rim international conference on advanced materials and processing, 2005, 卷号: pts 1-5, 期号: 475-479, 页码: 1791-1794 Shi, GX; Xu, B; Jin, P; Ye, XL; Cui, CX; Zhang, CL; Wu, J; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/03/17 quantum dots  strain buffer layer  InAs  photoluminescence  WELL  LASER  LAYER   Changing planar thin film growth into self-assembled island formation by adjusting experimental conditions 期刊论文  OAI收割 thin solid films, 2005, 卷号: 476, 期号: 1, 页码: 68-72 Sun, J; Jin, P; Wang, ZG; Zhang, HZ; Wang, ZY; Hu, LZ 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/03/17 liquid phase epitaxy (LPE)   Effects of different modified underlayer surfaces on growth and optical properties of InGaN quantum dots 期刊论文  OAI收割 vacuum, 2005, 卷号: 77, 期号: 3, 页码: 307-314 Han, XX; Li, JM; Wu, JJ; Wang, XH; Li, DB; Liu, XL; Han, PD; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/03/17 nanostructure   Growth of low-density InAs/GaAs quantum dots on a substrate with an intentional temperature gradient by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 nanotechnology, 2005, 卷号: 16, 期号: 12, 页码: 2775-2778 作者:  Jin P;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：465/1  |  提交时间：2010/04/11 GAAS   Research progress of electronic properties of self-assembled semiconductor quantum dots 期刊论文  OAI收割 acta metallurgica sinica, 2005, 卷号: 41, 期号: 5, 页码: 463-470 作者:  Jin P 收藏  |  浏览/下载：48/13  |  提交时间：2010/03/17 self-assembled semiconductor quantum dot