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半导体研究所 [20]
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OAI收割 [20]
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期刊论文 [20]
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学科主题
光电子学 [20]
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学科主题:光电子学
内容类型:期刊论文
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Investigation on the corrosive effect of NH3 during InGaN/GaN multi-quantum well growth in light emitting diodes
期刊论文
OAI收割
Scientific Reports, 2017, 卷号: 7, 页码: 44850
作者:
J. Yang
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
P. Chen
;
J. J. Zhu
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提交时间:2018/11/30
Performance of InGaN based green laser diodes improved by using an asymmetric InGaN/InGaN multi-quantum well active region
期刊论文
OAI收割
OPTICS EXPRESS, 2017, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 9595-9602
作者:
J. YANG
;
D. G. ZHAO
;
D. S. JIANG
;
X. LI
;
F. LIANG
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提交时间:2018/11/30
Evolution of differential efficiency in blue InGaN laser diodes before and after a lasing threshold
期刊论文
OAI收割
Applied Optics, 2017, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 2462-2466
作者:
X. LI
;
Z. S. LIU
;
D. G. ZHAO
;
D. S. JIANG
;
P. CHEN
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提交时间:2018/07/11
XPS study of impurities in Si-doped AlN film
期刊论文
OAI收割
surface and interface analysis, 2016, 卷号: 48, 期号: 12, 页码: 1305–1309
F. Liang
;
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
Z. J. Zhao
;
Z. S. Liu
;
J. J. Zhu
;
J. Yang
;
L. C. Le
;
W. Liu
;
X.G. He
;
X. J. Li
;
X Li
;
S. T Liu
;
H. Yang
;
J. P. Liu
;
L. Q. Zhang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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提交时间:2017/03/10
Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD
期刊论文
OAI收割
applied physics a, 2016, 卷号: 122, 期号: 9
F. Liang
;
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
Z. J. Zhao
;
Z. S. Liu
;
J. J. Zhu
;
J. Yang
;
W. Liu
;
X. G. He
;
X. J. Li
;
X. Li
;
S. T. Liu
;
H. Yang
;
J. P. Liu
;
L. Q. Zhang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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提交时间:2017/03/10
The effectiveness of electron blocking layer in InGaN-based laser diodes with different indium content
期刊论文
OAI收割
physica status solidi (a), 2016, 卷号: 213, 期号: 8, 页码: 2223–2228
X. Li
;
D. G. Zhao*
;
D. S. Jiang
;
P. Chen
;
Z. S. Liu
;
J. J. Zhu
;
J. Yang
;
W. Liu
;
X. G. He
;
X. J. Li
;
F. Liang
;
L. Q. Zhang
;
J. P. Liu
;
H. Yang
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提交时间:2017/03/10
Observation of negative differential resistance in GaN-based multiple-quantum-well light-emitting diodes
期刊论文
OAI收割
journal of vacuum science & technology b, 2016, 卷号: 34, 期号: 1, 页码: 011206
J. Yang
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
P. Chen
;
J. J. Zhu
;
Z. S. Liu
;
L. C. Le
;
X. J. Li
;
X. G. He
;
J. P. Liu
;
L. Q. Zhang
;
H. Yang
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提交时间:2017/03/10
Effects of Si-doping on field emission characteristics of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD
期刊论文
OAI收割
materials technology, 2016
F. Liang
;
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
Z. S. Liu
;
J. J. Zhu
;
J. Yang
;
W. Liu
;
X. Li
;
S. T. Liu
;
H. Yang
;
L. Q. Zhang
;
J. P. Liu
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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提交时间:2017/03/10
Emission efficiency enhanced by reducing the concentration of residual carbon impurities in InGaN/GaN multiple quantum well light emitting diodes
期刊论文
OAI收割
optics express, 2016, 卷号: 24, 期号: 13, 页码: 13824-13831
J. Yang
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
P. Chen
;
Z. S. Liu
;
J. J. Zhu
;
X. J. Li
;
X. G. He
;
J. P. Liu
;
L. Q. Zhang
;
H. Yang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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提交时间:2017/03/10
Differential resistance of GaN-based laser diodes with and without polarization effect
期刊论文
OAI收割
applied optics, 2015, 卷号: 54, 期号: 29, 页码: 8706-8711
X. LI
;
Z. S. LIU
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D. G. ZHAO
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D. S. JIANG
;
P. CHEN
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J. J. ZHU
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J. YANG
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L. C. LE
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W. LIU
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X. G. HE
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X. J. LI
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F. LIANG
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L. Q. ZHANG
;
J. Q. LIU
;
H. YANG
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提交时间:2016/03/23