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发表日期

• 1996 [272]

学科主题

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浏览/检索结果: 共272条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：1996     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体レーザ素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1996340151A, 申请日期: 1996-12-24, 公开日期: 1996-12-24 作者:  松原 邦雄   |  收藏  |   面発光型半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP1996340146A, 申请日期: 1996-12-24, 公开日期: 1996-12-24 作者:  魚見 和久;  篠田 和典;  奥野 八重;  佐川 みすず;  平本 清久   |  收藏  |   半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2591333B2, 申请日期: 1996-12-19, 公开日期: 1997-03-19 作者:  麻多 進   |  收藏  |   半導体発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP2593845B2, 申请日期: 1996-12-19, 公开日期: 1997-03-26 作者:  石橋 晃;  石川 秀人;  森 芳文   |  收藏  |   半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP1996330666A, 申请日期: 1996-12-13, 公开日期: 1996-12-13 作者:  山田 由美   |  收藏  |   Photoluminescence studies on the interaction of near-surface gaas/alxga1-xas quantum wells with chemical adsorbates 期刊论文  iSwitch采集 Journal of photochemistry and photobiology a-chemistry, 1996, 卷号: 101, 期号: 2-3, 页码: 113-117 作者:  Liu, Y;  Xiao, XR;  Li, XP;  Xu, ZY;  Yuan, ZL 收藏  |   半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2586349B2, 申请日期: 1996-12-05, 公开日期: 1997-02-26 作者:  黒田 尚孝;  岩田 普   |  收藏  |   AlGaInP系半導体レーザとその製法 专利  OAI收割 专利号: JP2586826B2, 申请日期: 1996-12-05, 公开日期: 1997-03-05 作者:  池田 昌夫   |  收藏  |   半導体レーザー 专利  OAI收割 专利号: JP1996321658A, 申请日期: 1996-12-03, 公开日期: 1996-12-03 作者:  浜口 雄一   |  收藏  |   半導体装置および半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1996316574A, 申请日期: 1996-11-29, 公开日期: 1996-11-29 作者:  菱田 有二;  吉江 睦之   |  收藏  |