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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 0.13微米SOI工艺仿真及PD SOI器件特性研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2012 罗杰馨 收藏  |  浏览/下载：88/0  |  提交时间：2013/04/24 绝缘体上的硅  部分耗尽  浮体效应  记忆效应  隧道二极管   部分耗尽PD CMOS/SOI器件SEU模型分析 期刊论文  OAI收割 微电子学与计算机, 2010, 期号: 12 贺威; 张正选 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/01/06 纳米压印技术  大面积滚轴压印  聚合物探针阵列  光伏电池  交叉电极阵列   超薄SIMOX SOI材料的总剂量加固技术初探 学位论文  OAI收割 硕士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2009 张帅 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/03/06 SOI  　全耗尽  　总剂量效应  　Pseudo-MOSFET  　硅纳米晶体　   PD CMOS/SOI抗辐射54HC电路设计及制造 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2008 贺威 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/03/06 绝缘体上硅（SOI）  　总剂量辐射效应  　器件模型　   SOI LDMOS功率器件的研究与制备 期刊论文  OAI收割 微处理机, 2007, 期号: 02 程新红; 杨文伟; 宋朝瑞; 俞跃辉; 姜丽娟; 王芳 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/01/06 光电导开关  THz电磁波  载流子寿命  空间电荷屏蔽   SOI NMOS晶体管在高剂量的X射线与~(60) Coγ射线辐射作用下的背栅阈值电压漂移饱和效应的研究及比对 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2007, 期号: 06 田浩; 张正选; 张恩霞; 贺威; 俞文杰; 王茹 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/01/06 Pd合金  纳米粒子  氧还原反应  电催化  抗甲醇   环栅CMOS/SOI的X射线总剂量辐射效应研究 期刊论文  OAI收割 固体电子学研究与进展, 2007, 期号: 03 贺威; 张恩霞; 钱聪; 张正选 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/01/06 无线传感器网络  信道接入控制协议  低能耗  竞争机制   部分耗尽SOI MOSFET总剂量效应与偏置状态的关系(英文) 期刊论文  OAI收割 高能物理与核物理, 2007, 期号: 09 俞文杰; 王茹; 张正选; 钱聪; 贺威; 田浩; 陈明 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/01/06 微机械  电磁阻尼  振动稳定时间   部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐射效应的最恶劣偏置状态(英文) 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2007, 期号: 06 俞文杰; 张正选; 张恩霞; 钱聪; 贺威; 田浩; 陈明; 王茹 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/01/06 电子商务  网络营销  电子营销  网络广告   采用硅离子注入改进SIMOX埋氧的抗总剂量辐射性能研究(英文) 期刊论文  OAI收割 高能物理与核物理, 2007, 期号: 04 贺威; 张正选; 张恩霞; 钱聪; 田浩; 王曦 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/01/06 SOI材料  功率器件  LDMOS功率