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内容类型

• 期刊论文 [14]
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发表日期

• 2021 [2]
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学科主题

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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Self-powered ultraviolet photodiode based on lateral polarity structure GaN films 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2021, 卷号: 39, 期号: 5 作者:  Mukhopadhyay, Swarnav;  Pal, Hridibrata;  Narang, Sameer R.;  Guo, Chenyu;  Ye, Jichun   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2021/12/01 UV PHOTODETECTOR  JUNCTION   Self-powered ultraviolet photodiode based on lateral polarity structure GaN films 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2021, 卷号: 39, 期号: 5 作者:  Mukhopadhyay, Swarnav;  Pal, Hridibrata;  Narang, Sameer R.;  Guo, Chenyu;  Ye, Jichun   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2021/12/01 UV PHOTODETECTOR  JUNCTION   Graphene-GaN Schottky diodes 期刊论文  OAI收割 NANO RESEARCH, 2015, 卷号: 8, 期号: 4, 页码: 1327-1338 作者:  Kim Seongjun;  Seo Tae Hoon;  Kim Myung Jong;  Song Keun Man;  Suh EunKyung   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2021/12/13 LIGHT-EMITTING-DIODES  N-TYPE GAN  THERMIONIC-FIELD-EMISSION  SENSITIZED SOLAR-CELLS  CONTACT RESISTANCE  BARRIER HEIGHT  ELECTRICAL CHARACTERISTICS  TRANSPARENT ELECTRODES  RAMAN-SPECTROSCOPY  METAL CONTACTS  graphene  GaN  Schottky diode  Schottky barrier height  Fermi level pinning   The effects of high-energy uranium ion irradiation on Au/n-GaN Schottky diodes 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2014, 卷号: 339, 期号: 339, 页码: 20-25 作者:  Wang, LX;  Gou, J;  Zhang, CH;  Zhang, LQ;  Song, Y   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2015/10/15 Au/GaN Schottky contact  Swift heavy ions  I-V  C-V  Interface state   Grain boundary resistivities of polycrystalline Au films 期刊论文  OAI收割 EPL, 2011, 卷号: 96, 期号: 1 Zhang, X; Song, XH; Zhang, XG; Zhang, DL 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/09/17 GOLD-FILMS  ELECTRICAL-RESISTIVITY  CONDUCTIVITY  TEMPERATURE  RESISTANCE  METALS  SIZE   Behavioural investigation of InN nanodots by surface topographies and phase images 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 44, 页码: 445306 Deng, QW; Wang, XL; Xiao, HL; Wang, CM; Yin, HB; Chen, H; Lin, DF; Li, JM; Wang, ZG; Hou, X 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/01/06 QUANTUM DOTS  SOLAR-CELLS  GROWTH  FILMS  GAN   Influence of penetrating v-pits on leakage current of gan based p-i-n uv detector 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 11, 页码: 7952-7957 作者:  Zhang Shuang;  Zhao De-Gang;  Liu Zong-Shun;  Zhu Jian-Jun;  Zhang Shu-Ming 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Uv detector  V-pits  Leakage current   Influence of penetrating V-pits on leakage current of GaN based p-i-n UV detector 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 11, 页码: 7952-7957 Zhang S (Zhang Shuang); Zhao DG (Zhao De-Gang); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Wang YT (Wang Yu-Tian); Duan LH (Duan Li-Hong); Liu WB (Liu Wen-Bao); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：137/40  |  提交时间：2010/03/08 GaN   Hydrogen sensors based on algan/ain/gan schottky diodes 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 266-269 作者:  Wang Xin-Hua;  Wang Xiao-Liang;  Feng Chun;  Xiao Hong-Ling;  Yang Cui-Bai 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Hydrogen sensors based on algan/ain/gan hemt 期刊论文  iSwitch采集 Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 1, 页码: 20-23 作者:  Wang, X. H.;  Wang, X. L.;  Feng, C.;  Yang, C. B.;  Wang, B. Z. 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/ain/gan hemt  Hydrogen sensor