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浏览/检索结果: 共434条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Q-Switched External-Cavity Surface-Emitting Lasers 期刊论文  OAI收割 Zhongguo Jiguang/Chinese Journal of Lasers, 2021, 卷号: 48, 期号: 7 作者:  X. Zhang;  L. Pan;  Y. Zeng;  Z. Zhang;  H. Yang   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2022/06/13 Molecular beam epitaxial growth of InAs quantum dots on GaAs for high characteristics temperature lasers 期刊论文  OAI收割 J. Infrared Millim. Waves, 2020, 卷号: 39, 期号: 6, 页码: 667~670 作者:  Yuan Ye;  Su Xiang-Bin;  Yang Cheng-ao;  Zhang Yi;  Shang Jin-Ming;  Xie Sheng-Wen;  Zhang Yu;  Ni Hai-Qiao;  Xu Ying-Qiang;  Nil Zhi-Chuan   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2021/05/21 GaAs Nanowires Grown by Catalyst Epitaxy for High Performance Photovoltaics 期刊论文  OAI收割 CRYSTALS, 2018, 卷号: 8, 期号: 9, 页码: 21 作者:  Wang, Ying;  Zhou, Xinyuan;  Yang, Zaixing;  Wang, Fengyun;  Han, Ning   |  收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2018/12/04 Gaas Nanowires  Catalyst Epitaxy  Photovoltaics  Optical Absorption  Schottky Barrier   (n11)取向GaAsN外延材料的Si掺杂行为及肖特基接触特性研究 学位论文  OAI收割 工程硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016 作者:  董琛 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2016/11/24 GaAsN  生长取向  外延生长  光电特性  Growth orientation  Epitaxial growth  Optoelectronic characteristics   Initial heteroepitaxial growth and characterization of GaAs on Ge (100) by all-solid-source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2016, 卷号: 35, 期号: 2 作者:  He, W;  Lu, SL(陆书龙);  Yang, H(杨辉) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/03/11 Raman spectroscopy of epitaxial topological insulator bi2te3 thin films on gan substrates 期刊论文  iSwitch采集 Modern physics letters b, 2015, 卷号: 29, 期号: 15, 页码: 10 作者:  Xu, Hao;  Song, Yuxin;  Gong, Qian;  Pan, Wenwu;  Wu, Xiaoyan 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/10 Topological insulator  Bi2te3  Raman spectroscopy  Resonant raman scattering  Domain boundaries  Electron-phonon interaction   Impact of growth parameters on the morphology and microstructure of epitaxial GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 J.Alloy.Compd, 2013, 卷号: 580, 期号: 82 Z.Y.Lu P.P.Chen Z.M.Liao S.X.Shi Y.Sun T.X.Li Y.H.Zhang J.Zou W.Lu 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2014/11/10 Galliumarsenide  Nanowire  Molecularbeamepitaxy  Microstructure   Molecular beam epitaxial growth of Bi2Te3 and Sb 2Te3 topological insulators on GaAs (111) substrates: A potential route to fabricate topological insulator p-n junction 期刊论文  OAI收割 aip advances, 2013, 卷号: 3, 期号: 7, 页码: 072112 Zhaoquan Zeng, Timothy A. Morgan, Dongsheng Fan, Chen Li, Yusuke Hirono, Xian Hu, Yanfei Zhao, Joon Sue Lee, Zhiming M. Wang, Jian Wang, Shuiqing Yu, Michael E. Hawkridge, Mourad Benamara, Gregory J. Salamo 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2014/05/16 Molecular beam epitaxial growth and characterization of GaSb layers on GaAs (001) substrates 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2012, 卷号: 258, 期号: 17, 页码: 6571-6575 Li, YB; Zhang, Y; Zhang, YW; Wang, BQ; Zhu, ZP; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/02/07 Molecular beam epitaxial growth and characterization of GaSb layers on GaAs (0 0 1) substrates 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2012, 卷号: 258, 期号: 17, 页码: 6571-6575 Li, Yanbo; Zhang, Yang; Zhang, Yuwei; Wang, Baoqiang; Zhu, Zhanping; Zeng, Yiping 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2013/05/07