中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
西安光学精密机械研究... [6]
半导体研究所 [2]
长春光学精密机械与物... [1]
合肥物质科学研究院 [1]
采集方式
OAI收割 [10]
内容类型
专利 [5]
期刊论文 [4]
会议论文 [1]
发表日期
2022 [1]
2019 [1]
2018 [1]
2014 [1]
2004 [1]
2003 [1]
更多
学科主题
半导体物理 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共10条,第1-10条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Facet passivation process of high-power laser diodes by plasma cleaning and ZnO film
期刊论文
OAI收割
Applied Surface Science, 2022, 卷号: 596
作者:
Lan, Yu
;
Yang, Guowen
;
Zhao, Yuliang
;
Liu, Yuxian
;
Demir, Abdullah
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:41/0
  |  
提交时间:2022/06/08
Laser diodes
Facet passivation
High reliability
Radio Frequency Plasma-Enhanced Reactive Magnetron Sputtering Deposition of α‑SiN x on Photonic CrystalLaser Diodes for Facet Passivation
期刊论文
OAI收割
ACS Omega, 2019, 卷号: 4, 期号: 23, 页码: 20205-20211
作者:
Yuancheng Wang
;
Hongwei Qu
;
Yufei Wang
;
Fengxin Dong
;
Zhonghao Chen
;
Wanhua Zheng
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2020/08/05
Pulsed axial epitaxy of colloidal quantum dots in nanowires enables facet-selective passivation
期刊论文
OAI收割
NATURE COMMUNICATIONS, 2018, 卷号: 9, 页码: 8
作者:
Li, Yi
;
Zhuang, Tao-Tao
;
Fan, Fengjia
;
Voznyy, Oleksandr
;
Askerka, Mikhail
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2019/12/25
The facet passivation characteristic of 940nm semiconductor laser
会议论文
OAI收割
2013 2nd International Symposium on Quantum, Nano and Micro Technologies, ISQNM 2013, December 1, 2013 - December 2, 2013, Singapore
作者:
Qu Y.
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2015/04/27
Compound semiconductor light emitting device
专利
OAI收割
专利号: US6677618, 申请日期: 2004-01-13, 公开日期: 2004-01-13
作者:
HORIE, HIDEYOSHI
;
OHTA, HIROTAKA
;
FUJIMORI, TOSHINARI
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2019/12/26
Long, high-power semiconductor laser with shifted-wave and passivated output facet
专利
OAI收割
专利号: US6519272, 申请日期: 2003-02-11, 公开日期: 2003-02-11
作者:
BALIGA, ARVIND
;
FLANDERS, DALE C.
;
SALVATORE, RANDAL
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2019/12/24
Buried heterostructure InGaAsP/InP strain-compensated multiple quantum well laser with a native-oxidized InAlAs current blocking layer
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 26, 页码: 3803-3805
Wang ZJ
;
Chua SJ
;
Zhou F
;
Wang W
;
Wu RH
收藏
  |  
浏览/下载:44/0
  |  
提交时间:2010/08/12
SURFACE-EMITTING LASERS
ULTRALOW THRESHOLD
OXIDE
INP
DIODES
OXIDATION
Method and apparatus for batch cleaving semiconductor wafers and for coating the cleaved facets
专利
OAI收割
专利号: EP0457998B1, 申请日期: 1994-01-26, 公开日期: 1994-01-26
作者:
BROOM, RONALD F., DR.
;
GASSER, MARCEL
;
HARDER, CHRISTOPH, DR.
;
LATTA, ERNST-EBERHARD, DR.
;
OOSENBRUG, ALBERTUS
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2019/12/24
Method of passivating etched mirror facets of semiconductor laser diodes
专利
OAI收割
专利号: US5177031, 申请日期: 1993-01-05, 公开日期: 1993-01-05
作者:
BUCHMANN, PETER L.
;
WEBB, DAVID J.
;
VETTIGER, PETER
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2019/12/26
Passivation for surfaces and interfaces of semiconductor laser facets or the like
专利
OAI收割
专利号: US4563368, 申请日期: 1986-01-07, 公开日期: 1986-01-07
作者:
TIHANYI, PETER
;
BAUER, ROBERT S.
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2019/12/26