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半导体研究所 [12]
采集方式
OAI收割 [12]
内容类型
期刊论文 [12]
发表日期
2009 [2]
2006 [2]
2003 [1]
2001 [1]
2000 [2]
1998 [1]
更多
学科主题
半导体材料 [12]
筛选
浏览/检索结果:
共12条,第1-10条
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存缴方式:oaiharvest
学科主题:半导体材料
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Enhancement of Exciton-Phonon Interaction in InGaN Quantum Wells Induced by Electron-Beam Irradiation
期刊论文
OAI收割
japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 2, 页码: art. no. 021001
作者:
Wei XC
;
Duan RF
;
Ding K
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Growth-Parameter Spaces and Optical Properties of Cubic Boron Nitride Films on Si(001)
期刊论文
OAI收割
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: art. no. 056801
作者:
You JB
;
Zhang XW
;
Fan YM
;
Tan HR
收藏
  |  
High quality microcrystalline Si films by hydrogen dilution profile
期刊论文
OAI收割
thin solid films, 2006, 卷号: 515, 期号: 2, 页码: 452-455
Gu JH (Gu Jinhua)
;
Zhu MF (Zhu Meifang)
;
Wang LJ (Wang Liujiu)
;
Liu FZ (Liu Fengzhen)
;
Zhou BQ (Zhou Bingqing)
;
Ding K (Ding Kun)
;
Li GH (Li Guohua)
收藏
  |  
Electron resonant tunneling through InAs/GaAs quantum dots embedded in a Schottky diode with an AlAs insertion layer
期刊论文
OAI收割
journal of the electrochemical society, 2006, 卷号: 153, 期号: 7, 页码: g703-g706
作者:
Ye XL
;
Xu B
;
Jin P
收藏
  |  
Structural and photoluminescent properties of ternary Zn1-xCdxO crystal films grown on Si(111) substrates
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 1-2, 页码: 78-82
Ye ZZ
;
Ma DW
;
He JH
;
Huang JY
;
Zhao BH
;
Luo XD
;
Xu ZY
收藏
  |  
Structural characterization of cubic GaN grown on GaAs(001) substrates
期刊论文
OAI收割
chinese journal of electronics, 2001, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 219-222
Zheng XH
;
Qu B
;
Wang YT
;
Yang H
;
Liang JW
;
Han JY
收藏
  |  
X-ray double-crystal characterization of the strain relaxation in GaAs/GaNxAs1-x/GaAs(001) sandwiched structures
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 217, 期号: 1-2, 页码: 26-32
Pan Z
;
Wang YT
;
Li LH
;
Zhang W
;
Lin YW
;
Zhou ZQ
;
Wu RH
收藏
  |  
Point defects in III-V compound semiconductors
期刊论文
OAI收割
defects and diffusion in semiconductors, 2000, 卷号: 183-1, 期号: 0, 页码: 85-93
Chen N
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  |  
Triclinic deformation and anisotropic strain relaxation of an InAs film on a GaAs(001) substrate measured by a series of symmetric double crystal X-ray diffraction
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 191, 期号: 4, 页码: 627-630
Wang HM
;
Zeng YP
;
Zhou HW
;
Kong MY
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  |  
Properties of GaAs single crystals grown by molecular beam epitaxy at low temperatures
期刊论文
OAI收割
science in china series a-mathematics physics astronomy, 1997, 卷号: 40, 期号: 2, 页码: 214-218
Chen NF
;
He HJ
;
Wang YT
;
Lin LY
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