机构

• 半导体研究所 [9]

采集方式

• OAI收割 [9]

内容类型

• 期刊论文 [8]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2010 [9]

学科主题

• 半导体材料 [9]

筛选

浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    发表日期：2010     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Evaluating 0.53 eVGaInAsSbthermophotovoltaic diode based on an analytical absorption model 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2010, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: art. no. 095002 Wang Y (Wang Y.); Chen NF (Chen N. F.); Zhang XW (Zhang X. W.); Huang TM (Huang T. M.); Yin ZG (Yin Z. G.); Bai YM (Bai Y. M.) 收藏  |   Raman scattering study of vibrational modes and hole concentration in GaxMn1-xSb 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2010, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: art. no. 095010 Islam MR (Islam M. R.); Hasan MM (Hasan M. M.); Chen N (Chen N.); Fukuzawa M (Fukuzawa M.); Yamada M (Yamada M.) 收藏  |   Influence of band bending and polarization on the valence band offset measured by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 10, 页码: art. no. 104510 Xu XQ (Xu Xiaoqing); Liu XL (Liu Xianglin); Guo Y (Guo Yan); Wang J (Wang Jun); Song HP (Song Huaping); Yang SY (Yang Shaoyan); Wei HY (Wei Hongyuan); Zhu QS (Zhu Qinsheng); Wang ZG (Wang Zhanguo) 收藏  |   Characterization and analysis of two-dimensional GaAs-based photonic crystal nanocavities at room temperature 期刊论文  OAI收割 microelectronic engineering, 2010, 卷号: 87, 期号: 10, 页码: 1834-1837 Peng YS (Peng Y. S.); Xu B (Xu B.); Ye XL (Ye X. L.); Niu JB (Niu J. B.); Jia R (Jia R.); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |   二次退火制备I I I-V族半导体量子点 期刊论文  OAI收割 人工晶体学报, 2010, 卷号: 39, 期号: 3, 页码: 747-750 作者:  金鹏 收藏  |   Temperature dependent photoluminescence of an In(Ga)As/GaAs quantum dot system with different areal density 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2010, 卷号: 43, 期号: 29, 页码: art. no. 295401 Zhou XL (Zhou X. L.); Chen YH (Chen Y. H.); Liu JQ (Liu J. Q.); Jia CH (Jia C. H.); Zhou GY (Zhou G. Y.); Ye XL (Ye X. L.); Xu B (Xu Bo); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |   In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱二维电子气的零场自旋分裂 期刊论文  OAI收割 广西大学学报. 自然科学版, 2010, 卷号: 35, 期号: 6, 页码: 1027-1031 周文政; 代娴; 林铁; 商丽燕; 崔利杰; 曾一平; 褚君浩 收藏  |   MVPE Ga 掺杂ZnO 薄膜材料的制备及其在LED 中的应用 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2010 刘祯 收藏  |   Intrinsically limited critical temperatures of highly doped Ga1-xMnxAs thin films 期刊论文  OAI收割 physical review b, PHYSICAL REVIEW B, 2010, 2010, 卷号: 81, 81, 期号: 23, 页码: art. no. 235201, Art. No. 235201 作者:  Khazen K (Khazen Kh.);  von Bardeleben HJ (von Bardeleben H. J.);  Cantin JL (Cantin J. L.);  Mauger A (Mauger A.);  Chen L (Chen L.)   |  收藏  |