机构

• 半导体研究所 [10]

采集方式

• OAI收割 [10]

内容类型

• 期刊论文 [10]

发表日期

• 2010 [1]
• 2008 [1]
• 2007 [1]
• 2006 [1]
• 2004 [1]
• 2001 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [10]

筛选

浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 内容类型：期刊论文    学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Effects of silicon incorporation on composition, structure and electric conductivity of cubic boron nitride thin films 期刊论文  OAI收割 diamond and related materials, 2010, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: 1371-1376 Ying J (Ying J.); Zhang XW (Zhang X. W.); Fan YM (Fan Y. M.); Tan HR (Tan H. R.); Yin ZG (Yin Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/12/28 Cubic boron nitride  Doping  Ion beam assisted deposition  X-ray photoelectron spectroscopy  RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY  VAPOR-DEPOSITION  SI  NUCLEATION  GROWTH   Electronic structures of wurtzite ZnO, BeO, MgO and p-type doping in Zn1-xYxO (Y = Mg, Be) 期刊论文  OAI收割 computational materials science, 2008, 卷号: 44, 期号: 1, 页码: 72-78 Xu, Q; Zhang, XW; Fan, WJ; Li, SS; Xia, JB 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/03/08 Density functional theory  Electronic structure  Alloy  Doping   Simulation of In0.65Ga0.35N single-junction solar cell 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 23, 页码: 7335-7338 Zhang, X; Wang, X; Xiao, H; Yang, C; Ran, J; Wang, C; Hou, Q; Li, J 收藏  |  浏览/下载：139/1  |  提交时间：2010/03/08 BAND-GAP  INN   p-type Zn1-xMgxO films with Sb doping by radio-frequency magnetron sputtering 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 20, 页码: art.no.202102 Wang P (Wang Peng); Chen NF (Chen Nuofu); Yin ZG (Yin Zhigang); Dai RX (Dai Ruixuan); Bai YM (Bai Yiming) 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2010/04/11 ZNO THIN-FILMS  MGXZN1-XO  DEVICES  ALLOY   Electrical properties and electroluminescence of 4H-SiC p-n junction diodes 期刊论文  OAI收割 journal of rare earths, 2004, 卷号: 22 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 275-278 Sun, GS; Zhang, YX; Gao, X; Wang, L; Zhao, WS; Zeng, YP; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：87/0  |  提交时间：2010/03/17 4H-SiC   Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 371-375 Kong MY; Zhang JP; Wang XL; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：98/8  |  提交时间：2010/08/12 impurities  molecular beam epitaxy  nitrides  semiconducting III-V materials  GALLIUM NITRIDE  SAPPHIRE SUBSTRATE  DEFECTS  HETEROSTRUCTURE  SEMICONDUCTORS  STRESS   The growth of Si/SiGe/Si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460 Gao F; Huang DD; Li JP; Lin YX; Kong MY; Li JM; Zeng YP; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：89/0  |  提交时间：2010/08/12 GSMBE  SiGe alloy  doping  SIMS  HBT  current gain  SI   Effect of Si doping on cubic GaN films grown on GaAs(100) 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 206, 期号: 1-2, 页码: 150-154 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  cubic  hexagonal  photoluminescence  XRD  DOPED GAN  SILICON  SEMICONDUCTORS  SAPPHIRE  LIGHT-EMITTING DIODES   808 nm high-power laser grown by MBE through the control of Be diffusion and use of superlattice 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1997, 卷号: 175, 期号: 0, 页码: 1004-1008 Zhu DH; Wang ZG; Liang JB; Xu B; Zhu ZP; Zhang J; Gong Q; Li SY 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/17 high-power  semiconductor laser  MBE  quantum well  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  QUANTUM-WELL LASERS  BERYLLIUM  DIODES  MIGRATION  OPERATION  MIRRORS   RADIATIVE RECOMBINATION IN N-TYPE AND P-TYPE GAAS COMPENSATED WITH LI 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 1993, 卷号: 74, 期号: 12, 页码: 7275-7287 GISLASON HP; YANG BH; PETURSSON J; LINNARSSON M 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/15 IMPLANTED GAAS  EMISSION