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浏览/检索结果: 共68条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 宽带隙半导体二极管作为选通管相变存储器及方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN101976675A, 申请日期: 2011-02-16, 公开日期: 2011-02-16 吴良才; 宋志棠; 倪鹤南 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2012/01/06 硅离子注入引入纳米晶对SIMOX材料进行总剂量辐射加固 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2011, 期号: 02 王茹; 张正选; 俞文杰; 毕大炜; 陈明; 刘张李; 宁冰旭 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/04/13 绝缘体上硅  注氧隔离  总剂量辐照  纳米晶   应用埋氧层注氮工艺对SIMOX SOI材料辐射加固的研究 会议论文  OAI收割 第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会, 2011 郑中山; 刘忠立; 张国强; 李宁; 李国花; 张恩霞; 张正选; 王曦 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/01/18 埋氧层注氮工艺 SIMOX材料 离子注入 氮注入 抗辐射加固 C-V平带电压   一种纳米复合相变材料及其制备与应用 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN101660118, 申请日期: 2010-03-03, 公开日期: 2010-03-03 宋三年; 宋志棠; 封松林 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/01/06 总剂量辐射下的NMOS/SOI器件背栅阈值电压漂移模型 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2010, 期号: 04 贺威; 张正选 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/01/06 超导纳米线单光子探测器  电子束曝光  反应离子刻蚀  探测效率   SOI器件X射线与~(60)Co γ射线总剂量效应比较 期刊论文  OAI收割 电子器件, 2010, 期号: 04 何玉娟; 罗宏伟; 恩云飞; 张正选 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/01/06 晶圆键合  氮化镓  发光二极管  剥离   非规则栅结构PD CMOS/SOI器件SPICE模型参数分析 期刊论文  OAI收割 微电子学, 2010, 期号: 03 贺威; 张正选 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/01/06 锂电池  充电管理集成电路  太阳能电池供电   超导纳米线单光子探测器件的制备 期刊论文  OAI收割 低温与超导, 2010, 期号: 11 杨晓燕; 尤立星; 张礼杰; 黄少铭; Mintu Mondal; Sanjeev Kumar; John Jesudasan; Pratap Raychaudhuri 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/01/06 SQUID  探针显微镜  有限元分析  Fluxguide  半导体   用Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管表征SIMOX SOI材料的抗总剂量辐射能力 会议论文  OAI收割 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会, 2009 毕大炜; 张正选; 张帅; 俞文杰; 陈明 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/01/18 总剂量辐射效应 晶体管 注氧隔离 绝缘体上硅 加固工艺 注硅加固材料   注硅改性SIMOX材料的总剂量效应研究 会议论文  OAI收割 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会, 2009 张帅; 张正选; 毕大炜; 陈明 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/01/18 总剂量效应 硅纳米晶体 注硅改性 加固材料 阈值电压