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半导体研究所 [28]
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OAI收割 [28]
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期刊论文 [20]
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学科主题
半导体物理 [28]
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半导体材料 [1]
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共28条,第1-10条
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学科主题:半导体物理
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通讯波段量子点单光子源及新型缺陷单光子源研究
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
薛永洲
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提交时间:2018/05/28
硅基III-V族半导体材料的外延生长及量子点激光器研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
刘广政
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提交时间:2016/06/03
GaAs/Si
GaAs/Ge
两步法
四步法
量子点
激光器
半导体纳米材料掺杂和应力调控的第一性原理研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
陈卉
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提交时间:2016/05/31
纳米半导体材料
本征缺陷
掺杂原子
电子性质
磁性
应变
第一性原理计算
掺Te的GaSb薄膜分子束外延生长及缺陷特性
期刊论文
OAI收割
红外与毫米波学报, 红外与毫米波学报, 2012, 2012, 卷号: 31, 31, 期号: 4, 页码: 298-301, 298-301
作者:
陈燕,邓爱红,汤宝,王国伟,徐应强,牛智川
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提交时间:2013/05/29
The explanation of InN bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations
期刊论文
OAI收割
physics letters a, PHYSICS LETTERS A, 2011, 2011, 卷号: 375, 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155, 1152-1155
作者:
Liu CR
;
Li JB
;
Liu, CR, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. supermanliu5@semi.ac.cn
;
jbli@semi.ac.cn
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提交时间:2011/07/05
First principle calculation
Indium nitride
Band gap
Defect
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
AUGMENTED-WAVE METHOD
INDIUM NITRIDE
GAP
PSEUDOPOTENTIALS
SEMICONDUCTORS
IMPURITIES
ABSORPTION
DEFECTS
ALLOYS
First Principle Calculation
Indium Nitride
Band Gap
Defect
Initio Molecular-dynamics
Augmented-wave Method
Indium Nitride
Gap
Pseudopotentials
Semiconductors
Impurities
Absorption
Defects
Alloys
宽禁带半导体纳米结构中缺陷和掺杂特性研究
学位论文
OAI收割
博士后, 北京, 北京: 中国科学院研究生院, 中国科学院研究生院, 2010, 2010
作者:
王治国
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提交时间:2010/09/08
半导体低维结构的压力光谱研究
期刊论文
OAI收割
红外与毫米波学报, 2005, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 174-178
李国华
;
陈晔
;
方再利
;
马宝珊
;
苏付海
;
丁琨
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提交时间:2010/11/23
GaAs/Si/AlAs异质结的DLTS实验研究
期刊论文
OAI收割
量子电子学报, 2005, 卷号: 22, 期号: 6, 页码: 923-926
作者:
牛智川
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提交时间:2010/11/23
Fe-diffusion-induced defects in InP annealed in iron phosphide ambient
期刊论文
OAI收割
japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2002, 卷号: 41, 期号: 4a, 页码: 1929-1931
Zhao YW
;
Dong HW
;
Jiao JH
;
Zhao JQ
;
Lin LY
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提交时间:2010/08/12
indium phosphide
annealing
semi-insulating
defect
diffusion
ENCAPSULATED CZOCHRALSKI INP
SEMIINSULATING INP
PHOTO-LUMINESCENCE
INDIUM-PHOSPHIDE
UNDOPED INP
PHOTOLUMINESCENCE
CRYSTALS
PRESSURE
玻璃中CdSeS量子点的结构和光学性质
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 996
作者:
江德生
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提交时间:2010/11/23