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机构
半导体研究所 [13]
采集方式
OAI收割 [13]
内容类型
期刊论文 [11]
会议论文 [2]
发表日期
2010 [1]
2007 [1]
2006 [1]
2004 [3]
2003 [2]
2002 [1]
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学科主题
半导体材料 [13]
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共13条,第1-10条
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学科主题:半导体材料
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Catalytic Activation of Mg-Doped GaN by Hydrogen Desorption Using Different Metal Thin Layers
期刊论文
OAI收割
japanese journal of applied physics, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 2010, 卷号: 49, 49, 期号: 10, 页码: art. no. 100201, Art. No. 100201
作者:
Wei TB (Wei Tongbo)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Liu NX (Liu Naixin)
;
Lu HX (Lu Hongxi)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
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提交时间:2010/11/14
LOW-TEMPERATURE ACTIVATION
Low-temperature Activation
Films
FILMS
Generation and suppression of deep level defects in InP
期刊论文
OAI收割
acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 3, 页码: 1476-1479
Zhao YW (Zhao You-Wen)
;
Dong ZY (Dong Zhi-Yuan)
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提交时间:2010/03/29
indium phosphide
Growth and annealing study of Mg-doped AlGaN and GaN/AlGaN superlattices
期刊论文
OAI收割
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 8, 页码: 2187-2189
Wang BZ (Wang Bao-Zhu)
;
Wang XL (Wang Xiao-Liang)
;
Hu GX (Hu Guo-Xin)
;
Ran JX (Ran Jun-Xue)
;
Wang XH (Wang Xin-Hua)
;
Guo LC (Guo Lun-Chun)
;
Xiao HL (Xiao Hong-Ling)
;
Li JP (Li Jian-Ping)
;
Zeng YP (Zeng Yi-Ping)
;
Li JM (Li Jin-Min)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/04/11
LIGHT-EMITTING-DIODES
Ga1-xMnxSb grown on GaSb substrate by liquid phase epitaxy
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 1-2, 页码: 50-53
Chen CL
;
Chen NF
;
Liu LF
;
Li YL
;
Wu JL
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提交时间:2010/03/09
X-ray diffraction
Electrical properties and electroluminescence of 4H-SiC p-n junction diodes
期刊论文
OAI收割
journal of rare earths, 2004, 卷号: 22 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 275-278
Sun, GS
;
Zhang, YX
;
Gao, X
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
;
Li, JM
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提交时间:2010/03/17
4H-SiC
Gallium antisite defect and residual acceptors in undoped GaSb
期刊论文
OAI收割
physics letters a, 2004, 卷号: 332, 期号: 3-4, 页码: 286-290
Hu WG
;
Wang Z
;
Su BF
;
Dai YQ
;
Wang SJ
;
Zhao YW
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提交时间:2010/03/09
GaSb
Room-temperature ferromagnetic semiconductor MnxGa1-xSb
期刊论文
OAI收割
chinese science bulletin, 2003, 卷号: 48, 期号: 6, 页码: 516-518
Chen NF
;
Zhang FQ
;
Yang JL
;
Liu ZK
;
Yang SY
;
Chai CL
;
Wang ZG
;
Hu WR
;
Lin LY
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提交时间:2010/08/12
MnxGa1-xSb
ferromagnetic semiconductor
diluted magnetic semiconductors
DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTORS
GAMNAS
Photoluminescence of Mg-doped GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
journal of vacuum science & technology a, 2003, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 838-841
Qu BZ
;
Zhu QS
;
Sun XH
;
Wan SK
;
Wang ZG
;
Nagai H
;
Kawaguchi Y
;
Hiramatsu K
;
Sawaki N
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提交时间:2010/08/12
P-TYPE GAN
LIGHT-EMITTING-DIODES
LOCALIZED EXCITONS
GALLIUM NITRIDE
FILMS
DEFECTS
LUMINESCENCE
COMPENSATION
SPECTROSCOPY
ACCEPTORS
Photoluminescence and capacitance transients in highly Mg-doped GaN
期刊论文
OAI收割
applied physics a-materials science & processing, 2002, 卷号: 75, 期号: 3, 页码: 441-444
Lu L
;
Yang CL
;
Yan H
;
Yang H
;
Wang Z
;
Wang J
;
Ge W
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提交时间:2010/08/12
P-TYPE GAN
BAND
LUMINESCENCE
ZNSE
Defect states in cubic GaN epilayer grown on GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy
期刊论文
OAI收割
physica status solidi a-applied research, 2001, 卷号: 188, 期号: 2, 页码: 681-685
Xu SJ
;
Or CT
;
Li Q
;
Zheng LX
;
Xie MH
;
Tong SY
;
Yang H
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提交时间:2010/08/12
OPTICAL-TRANSITIONS
PHOTOLUMINESCENCE