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• 半导体研究所 [39]

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• OAI收割 [39]

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• 期刊论文 [30]
• 会议论文 [9]

发表日期

• 2012 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [39]

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浏览/检索结果: 共39条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Ytterbium-pulsed fiber laser percussion drilling silicon for emitter wrap through solar cells 期刊论文  OAI收割 proceedings of spie - the international society for optical engineering, 2012, 卷号: 8473, 页码: 84730t Huang, Yongguang; Zhu, Xiaoning; Zhu, Hongliang 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/05/07 Photorefractive effects in ZnO nanorod doped liquid crystal cell 期刊论文  OAI收割 applied optics, 2011, 卷号: 50, 期号: 8, 页码: 1101-1104 作者:  Guo YB 收藏  |  浏览/下载：71/7  |  提交时间：2011/07/05 HOLOGRAPHIC GRATING FORMATION  LUMINESCENCE  FIELDS  FILMS   Valence band offset of GaN/diamond heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 18, 页码: 8110-8112 作者:  Shi K;  Jiao CM;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：93/7  |  提交时间：2011/07/05 Valence band offset  GaN/diamond heterojunction  XPS  Conduction band offset  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ALGAN/GAN HEMTS  DIAMOND  GAN  FILMS   Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates 期刊论文  OAI收割 journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032 作者:  Pan X 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2011/09/14 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  ALN INTERLAYERS  FILMS  STRESS  LAYERS  DISLOCATIONS  REDUCTION  DENSITY  DIODES   Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 2011, 卷号: 314, 314, 期号: 1, 页码: 141-145, 141-145 作者:  Wei TB;  Yang JK;  Hu Q;  Duan RF;  Huo ZQ   |  收藏  |  浏览/下载：80/4  |  提交时间：2011/07/05 CL  PL  Stacking fault  HVPE  GaN  Nonpolar  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ACCEPTOR PAIR EMISSION  PHASE EPITAXY  GROWN GAN  SEMICONDUCTORS  SAPPHIRE  FILMS  NITRIDE  Cl  Pl  Stacking Fault  Hvpe  Gan  Nonpolar  Chemical-vapor-deposition  Acceptor Pair Emission  Phase Epitaxy  Grown Gan  Semiconductors  Sapphire  Films  Nitride   Molecular beam epitaxy of GaSb on GaAs substrates with AlSb/GaSb compound buffer layers 期刊论文  OAI收割 thin solid films, THIN SOLID FILMS, 2010, 2010, 卷号: 519, 519, 期号: 1, 页码: 228-230, 228-230 作者:  Hao RT (Hao Ruiting);  Deng SK (Deng Shukang);  Shen LX (Shen Lanxian);  Yang PZ (Yang Peizhi);  Tu JL (Tu Jielei)   |  收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/12/28 Gallium Arsenide  Gallium Arsenide  Gallium Antimonide  Gallium Antimonide/aluminum Antimonide  Superlattices  Molecular Beam Epitaxy  Vapor-phase Epitaxy  Surface-morphology  Growth  Superlattices  Temperature  Relaxation  Detectors  Gaas(001)  Mocvd  Films  Gallium antimonide  Gallium antimonide/Aluminum antimonide  Superlattices  Molecular Beam Epitaxy  VAPOR-PHASE EPITAXY  SURFACE-MORPHOLOGY  GROWTH  SUPERLATTICES  TEMPERATURE  RELAXATION  DETECTORS  GAAS(001)  MOCVD  FILMS   Experimental investigation of slow light phenomenon in photonic crystal waveguide line defect laser 会议论文  OAI收割 international workshop on metamaterials, nanjing, peoples r china, nov 09-12, 2008 Xing MX; Ren G; Chen W; Zhou WJ; Wang HL; Chen LH; Zheng WH 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/03/09 MODE   A Wavelength Tunable DBR Laser Integrated with an Electro Absorption Modulator by a Combined Method of SAG and QWI 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 11, 页码: 2053-2057 作者:  Zhang Jing;  Wang Wei;  Wang Wei 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/23 1.55μm Laser Diode Monolithically Integrated with Spot-Size Converter Using Conventional Process 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 443-447 作者:  Wang Wei;  Wang Wei 收藏  |  浏览/下载：118/1  |  提交时间：2010/11/23 Study of infrared luminescence from Er-implanted GaN films 会议论文  OAI收割 international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003 Chen WD; Song SF; Zhu JJ; Wang XL; Chen CY; Hsu CC 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/11/15 doping  metalorganic chemical vapor deposition  molecular beam epitaxy  gallium compounds  semiconducting gallium compounds  ERBIUM