中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [55]
上海微系统与信息技... [13]
物理研究所 [5]
高能物理研究所 [4]
西安光学精密机械研究... [4]
长春光学精密机械与物... [3]
更多
采集方式
OAI收割 [76]
iSwitch采集 [12]
内容类型
期刊论文 [73]
学位论文 [9]
专利 [4]
会议论文 [2]
发表日期
2010 [88]
学科主题
半导体材料 [19]
光电子学 [15]
半导体物理 [8]
Physics [3]
Physics, M... [3]
Chemistry,... [1]
更多
筛选
浏览/检索结果:
共88条,第1-10条
帮助
限定条件
发表日期:2010
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Anisotropic characteristics of a-plane GaN films grown on gamma-LiAlO2 (302) substrates by MOCVD
期刊论文
OAI收割
Applied Surface Science, 2010, 卷号: 257, 期号: 4, 页码: 1181-1184
作者:
Qiu YX (邱永鑫)
;
Huang J (黄俊)
;
Xu K (徐科)
收藏
  |  
浏览/下载:185/63
  |  
提交时间:2011/03/13
Semiconductors
Thin films
Surfaces
Luminescence
Nonpolar
GaN
Ferromagnetic properties in fe-doped zns thin films
期刊论文
iSwitch采集
Optoelectronics and advanced materials-rapid communications, 2010, 卷号: 4, 期号: 12, 页码: 2072-2075
作者:
Zhu, Feng
;
Dong, Shan
;
Yang, Guandong
收藏
  |  
浏览/下载:28/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Fe-doped zns
First principles calculation
Ferromagnetic properties
High curie temperature
异质掩埋激光器的制作方法
专利
OAI收割
专利号: CN101888060A, 申请日期: 2010-11-17, 公开日期: 2010-11-17
作者:
王宝军
;
朱洪亮
;
赵玲娟
;
王圩
;
潘教青
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2020/01/18
Room-Temperature Continuous-Wave Operation of InGaN-Based Blue-Violet Laser Diodes with a Lifetime of 15.6 Hours
期刊论文
OAI收割
Chinese Physics Letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 11
作者:
Wang HB (王怀兵)
;
Yang H (杨辉)
;
Zhang SM (张书明)
;
Ji L
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2011/03/13
High characteristic temperature ingaasp/inp tunnel injection multiple-quantum-well lasers
期刊论文
iSwitch采集
Chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: 3
作者:
Wang Yang
;
Qiu Ying-Ping
;
Pan Jiao-Qing
;
Zhao Ling-Juan
;
Zhu Hong-Liang
收藏
  |  
浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2019/05/12
The growth of zno on bcc-in2o3 buffer layers and the valence band offset determined by x-ray photoemission spectroscopy
期刊论文
iSwitch采集
Solid state communications, 2010, 卷号: 150, 期号: 41-42, 页码: 1991-1994
作者:
Song, H. P.
;
Zheng, G. L.
;
Yang, A. L.
;
Guo, Y.
;
Wei, H. Y.
收藏
  |  
浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Zno
In2o3
Mocvd
Photoelectron spectroscopies
Abnormal photoabsorption in high resistance gan epilayer
期刊论文
iSwitch采集
Acta physica sinica, 2010, 卷号: 59, 期号: 11, 页码: 8048-8051
作者:
Liu Wen-Bao
;
Zhao De-Gang
;
Jiang De-Sheng
;
Liu Zong-Shun
;
Zhu Jian-Jun
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Gan
Exciton
Photovoltaic spectroscopy
Msm
Photoresponsivity
Molecular beam epitaxy of gasb on gaas substrates with alsb/gasb compound buffer layers
期刊论文
iSwitch采集
Thin solid films, 2010, 卷号: 519, 期号: 1, 页码: 228-230
作者:
Hao, Ruiting
;
Deng, Shukang
;
Shen, Lanxian
;
Yang, Peizhi
;
Tu, Jielei
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Gallium arsenide
Gallium antimonide
Gallium antimonide/aluminum antimonide
Superlattices
Molecular beam epitaxy
一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法
专利
OAI收割
专利号: CN101820134A, 申请日期: 2010-09-01, 公开日期: 2010-09-01
作者:
胡理科
;
熊聪
;
祁琼
;
王冠
;
马骁宇
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:31/0
  |  
提交时间:2020/01/18
折射面入光探测器的制作方法
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-23, 2010-08-12, 2010-10-15
廖栽宜
;
张云霄
;
周 帆
;
赵玲娟
;
王 圩
收藏
  |  
浏览/下载:77/0
  |  
提交时间:2010/08/12