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• 半导体研究所 [61]

采集方式

• OAI收割 [61]

内容类型

• 期刊论文 [54]
• 会议论文 [7]

发表日期

• 2011 [2]
• 2010 [4]
• 2009 [4]
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• 2007 [2]
• 2006 [12]
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学科主题

• 半导体材料 [61]

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浏览/检索结果: 共61条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117 作者:  Jia CH;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：118/2  |  提交时间：2011/07/05 Anisotropy  Crystal morphology  Metalorganic chemical vapor deposition  a-Plane InN  INDIUM NITRIDE  MOVPE GROWTH  CUBIC INN  SAPPHIRE  GAN  MBE   Infrared transition properties of vanadium dioxide thin films across semiconductor-metal transition 期刊论文  OAI收割 rare metals, 2011, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 247-251 作者:  Li GK 收藏  |  浏览/下载：74/2  |  提交时间：2011/07/05 vanadium dioxide  infrared transition  diffraction effect  dual ion beam sputtering  annealing   Interplay effects of temperature and injection power on photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot with high and low areal density 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2010, 卷号: 43, 期号: 48, 页码: art. no. 485102 Zhou XL (Zhou X. L.); Chen YH (Chen Y. H.); Jia CH (Jia C. H.); Ye XL (Ye X. L.); Xu B (Xu Bo); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/12/12 DEPENDENCE  SPECTRA   Evaluation of thermal radiation dependent performance of GaSb thermophotovoltaic cell based on an analytical absorption coefficient model 期刊论文  OAI收割 solar energy materials and solar cells, 2010, 卷号: 94, 期号: 10, 页码: 1704-1710 Wang Y (Wang Y.); Chen NF (Chen N. F.); Zhang XW (Zhang X. W.); Huang TM (Huang T. M.); Yin ZG (Yin Z. G.); Wang YS (Wang Y. S.); Zhang H (Zhang H.) 收藏  |  浏览/下载：190/22  |  提交时间：2010/09/07 Thermophotovoltaic  Gallium antimonide  Absorption coefficient   A Selective-Area Metal Bonding InGaAsP-Si Laser 期刊论文  OAI收割 ieee photonics technology letters, 2010, 卷号: 22, 期号: 15, 页码: 1141-1143 Hong T (Hong Tao); Ran GZ (Ran Guang-Zhao); Chen T (Chen Ting); Pan JQ (Pan Jiao-Qing); Chen WX (Chen Wei-Xi); Wang Y (Wang Yang); Cheng YB (Cheng Yuan-Bing); Liang S (Liang Song); Zhao LJ (Zhao Ling-Juan); Yin LQ (Yin Lu-Qiao); Zhang JH (Zhang Jian-Hua); Wang W (Wang Wei); Qin GG (Qin Guo-Gang) 收藏  |  浏览/下载：255/27  |  提交时间：2010/10/11 InGaAsP-Si laser  selective-area metal bonding (SAMB)  Si photonics   Substrate temperature dependence of ZnTe epilayers grown on GaAs(001) by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2010, 卷号: 312, 期号: 9, 页码: 1491-1495 Zhao J (Zhao Jie); Zeng YP (Zeng Yiping); Liu C (Liu Chao); Li YB (Li Yanbo) 收藏  |  浏览/下载：148/33  |  提交时间：2010/06/04 Reflection high-energy electron diffraction  Atomic force microscopy  Molecular beam epitaxy  Zinc compounds  Semiconducting II-VI materials   Epitaxial Growth of AlInGaN Quaternary Alloys by RF-MBE 期刊论文  OAI收割 journal of inorganic materials, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562 Wang BZ; Wang XL 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/03/08 AlInGaN  RF-MBE  structural properties  optical properties   A mini-staged multi-stacked quantum cascade laser for improved optical and thermal performance 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 7, 页码: art. no. 075023 作者:  Li L 收藏  |  浏览/下载：81/4  |  提交时间：2010/03/08 ROOM-TEMPERATURE   Influence of a tilted cavity on quantum-dot optoelectronic active devices 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 9, 页码: 37-40 作者:  Xu Bo 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/23 Improvement in crystal quality of ZnO film on Si substrate by using a homo-buffer layer 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2009, 卷号: 12, 期号: 6, 页码: 233-237 作者:  Zhao J 收藏  |  浏览/下载：43/4  |  提交时间：2011/07/05 ZnO  Pulsed laser deposition  X-ray diffraction  Photoluminescence  Reflection high-energy electron diffraction  PULSED-LASER DEPOSITION  THIN-FILMS  PLD TECHNIQUE  GROWTH  SAPPHIRE  TEMPERATURE