机构

• 半导体研究所 [25]

采集方式

• OAI收割 [24]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [20]
• 会议论文 [5]

发表日期

• 2011 [5]
• 2010 [1]
• 2008 [2]
• 2007 [2]
• 2006 [4]
• 2005 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [16]
• 光电子学 [5]
• 半导体物理 [3]

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浏览/检索结果: 共25条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Optical identification of electronic state levels of an asymmetric inas/ingaas/gaas dot-in-well structure 期刊论文  iSwitch采集 Nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 期号: 1 作者:  Zhou,Xiaolong;  Chen,Yonghai;  Xu,Bo 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Investigation of cracks in GaN films grown by combined hydride and metal organic vapor-phase epitaxial method 期刊论文  OAI收割 nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.69 作者:  Song HP;  Wei HY;  Li CM;  Jiao CM 收藏  |  浏览/下载：65/4  |  提交时间：2011/07/05 CATHODOLUMINESCENCE CHARACTERIZATION  GALLIUM NITRIDE  STRESSES  LAYERS  HETEROSTRUCTURE  DEPOSITION  CONSTANTS  MECHANISM  SAPPHIRE  STRAIN   Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates 期刊论文  OAI收割 journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032 作者:  Pan X 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2011/09/14 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  ALN INTERLAYERS  FILMS  STRESS  LAYERS  DISLOCATIONS  REDUCTION  DENSITY  DIODES   Effect of AlN buffer thickness on GaN epilayer grown on Si(1 1 1) 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 97-100 Wei, M; Wang, XL; Pan, X; Xiao, HL; Wang, CM; Hou, QF; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/01/06 GaN  MOCVD  Si(111)  AlN  VAPOR-PHASE EPITAXY  LAYERS  SUBSTRATE  MOCVD  STRESS   Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467 作者:  Pan X 收藏  |  浏览/下载：80/5  |  提交时间：2011/07/05 Sandwich structure  Stress  Aluminum nitride  Gallium nitride  Silicon  PHONON DEFORMATION POTENTIALS  WURTZITE ALN  SILICON  STRESS  TRANSISTORS  EPITAXY  LAYERS   Application of Raman spectroscopy in carbon nanotube-based polymer composites 期刊论文  OAI收割 chinese science bulletin, CHINESE SCIENCE BULLETIN, 2010, 2010, 卷号: 55, 55, 期号: 35, 页码: 3978-3988, 3978-3988 作者:  Gao Y;  Li LY;  Tan PH;  Liu LQ;  Zhang Z   |  收藏  |  浏览/下载：100/2  |  提交时间：2011/07/05 Raman spectroscopy  carbon nanotube  composites  CNT macroarchitecture  RADIAL BREATHING MODE  DIAMETER DISTRIBUTION  WALL  SCATTERING  FIBERS  SENSORS  STRESS  FUNCTIONALIZATION  NANOCOMPOSITES  OXIDATION  Raman Spectroscopy  Carbon Nanotube  Composites  Cnt Macroarchitecture  Radial Breathing Mode  Diameter Distribution  Wall  Scattering  Fibers  Sensors  Stress  Functionalization  Nanocomposites  Oxidation   High-temperature AlN interlayer for crack-free AlGaN growth on GaN 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: art. no. 043516 Sun, Q; Wang, JT; Wang, H; Jin, RQ; Jiang, DS; Zhu, JJ; Zhao, DG; Yang, H; Zhou, SQ; Wu, MF; Smeets, D; Vantomme, A 收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2010/03/08 STRESS  SI(111)  REDUCTION  THICKNESS   Effect of indium-doped interlayer on the strain relief in GaN films grown on Si(111) 期刊论文  OAI收割 physica status solidi a-applications and materials science, 2008, 卷号: 205, 期号: 2, 页码: 294-299 Wu, JJ; Zhao, LB; Zhang, GY; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG; Jia, QJ; Guo, LP; Hu, TD 收藏  |  浏览/下载：65/3  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  TEMPERATURE ALN INTERLAYERS  PHASE EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  SURFACTANT  SUBSTRATE  STRESS  SI  REDUCTION  SAPPHIRE   High responsivity ultraviolet photodetector based on crack-free GaN on Si (111) 会议论文  OAI收割 33rd international symposium on compound semiconductors, vancouver, canada, aug 13-17, 2006 Wang, XY (Wang, Xiaoyan); Wang, XL (Wang, Xiaoliang); Wang, BZ (Wang, Baozhu); Xiao, HL (Xiao, Hongling); Liu, HX (Liu, Hongxin); Wang, JX (Wang, Junxi); Zeng, YP (Zeng, Yiping); Li, JM (Li, Jinmin) 收藏  |  浏览/下载：125/38  |  提交时间：2010/03/29 BUFFER LAYER  STRESS  PHOTODIODES  REDUCTION  DETECTORS  SAPPHIRE  EPITAXY  GROWTH   Influence of AlN thickness on strain evolution of GaN layer grown on high-temperature AlN interlayer 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 17, 页码: 5252-5255 Liu, W (Liu, W.); Wang, JF (Wang, J. F.); Zhu, JJ (Zhu, J. J.); Jiang, DS (Jiang, D. S.); Yang, H (Yang, H.) 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/03/29 STRESS