机构

• 半导体研究所 [31]

采集方式

• OAI收割 [20]
• iSwitch采集 [11]

内容类型

• 期刊论文 [25]
• 会议论文 [6]

发表日期

• 2008 [4]
• 2007 [4]
• 2006 [14]
• 2004 [5]
• 1997 [1]
• 1996 [2]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [12]
• 半导体器件 [5]
• 半导体物理 [2]
• 半导体化学 [1]

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浏览/检索结果: 共31条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Influence of electron irradiation on hydrothermally grown zinc oxide single crystals 期刊论文  iSwitch采集 Semiconductor science and technology, 2008, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 6 作者:  Lu, L. W.;  So, C. K.;  Zhu, C. Y.;  Gu, Q. L.;  Li, C. J. 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Annihilation of deep level defects in inp through high temperature annealing 期刊论文  iSwitch采集 Journal of physics and chemistry of solids, 2008, 卷号: 69, 期号: 2-3, 页码: 551-554 作者:  Zhao, Y. W.;  Dong, Z. Y. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Defect   Influence of electron irradiation on hydrothermally grown zinc oxide single crystals 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2008, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: art. no. 095028 Lu LW; So CK; Zhu CY; Gu QL; Li CJ; Fung S; Brauer G; Anwand W; Skorupa W; Ling CC 收藏  |  浏览/下载：110/1  |  提交时间：2010/03/08 SCHOTTKY CONTACTS   Annihilation of deep level defects in InP through high temperature annealing 期刊论文  OAI收割 journal of physics and chemistry of solids, 2008, 卷号: 69, 期号: 39847, 页码: 551-554 Zhao, YW; Dong, ZY 收藏  |  浏览/下载：39/2  |  提交时间：2010/03/08 defect   Thermally induced fe atom transition from substitutional to interstitial sites in inp and its influence on material property 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 5536-5541 作者:  Zhao You-Wen;  Miao Shan-Shan;  Dong Zhi-Yuan;  Lue Xiao-Hong;  Deng Ai-Hong 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Indium phosphide  Fe activation  Annealing  Semi-insulating   Influence of deep level defects on electrical compensation in semi-insulating inp materials 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 2, 页码: 1167-1171 作者:  Yang Jun;  Zhao You-Wen;  Dong Zhi-Yuan;  Deng Ai-Hong;  Miao Shan-Shan 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Inp  Semi-insulating  Deep level  Electric compensation   Influence of deep level defects on electrical compensation in semi-insulating InP materials 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 2, 页码: 1167-1171 Yang, J (Yang Jun); Zhao, YW (Zhao You-Wen); Dong, ZY (Dong Zhi-Yuan); Deng, AH (Deng Ai-Hong); Miao, SS (Miao Shan-Shan); Wang, B (Wang Bo) 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/03/29 InP   Thermally induced Fe atom transition from substitutional to interstitial sites in InP and its influence on material property 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 5536-5541 Zhao, YW (Zhao You-Wen); Miao, SS (Miao Shan-Shan); Dong, ZY (Dong Zhi-Yuan); Lue, XH (Lue Xiao-Hong); Deng, AH (Deng Ai-Hong); Yang, J (Yang Jun); Wang, B (Wang Bo) 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/03/29 indium phosphide   Origin of deep level defect related photoluminescence in annealed inp 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 12, 页码: 4 作者:  Zhao, Youwen;  Dong, Zhiyuan;  Miao, Shanshan;  Deng, Aihong;  Yang, Jun 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Growth and characterization of semi-insulating gan films grown by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 页码: 14-18 作者:  Fang, CB;  Wang, XL;  Hu, GX;  Wang, JX;  Wang, CM 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Mocvd  Gan  Resistivity  Tsc