机构

• 半导体研究所 [23]

采集方式

• OAI收割 [23]

内容类型

• 期刊论文 [22]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2011 [2]
• 2008 [1]
• 2006 [2]
• 2003 [1]
• 2002 [1]
• 2000 [7]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [23]

筛选

浏览/检索结果: 共23条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Effects of ultra-low Al alloying In(Al) As layer on the formation and evolution of InAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.94311 作者:  Xu B;  Zhou GY;  Ye XL;  Zhang HY 收藏  |  浏览/下载：53/5  |  提交时间：2011/07/05 SELF-ORGANIZED ISLANDS  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  SURFACES  EMISSION  DENSITY  SIZE   Numerical study of strained InGaAs quantum well lasers emitting at 2.33 mu m using the eight-band model 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 77301 Wang M; Gu YX; Ji HM; Yang T; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/02/06 EPITAXY  MOVPE   Temperature dependence of surface quantum dots grown under frequent growth interruption 期刊论文  OAI收割 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2008, 卷号: 40, 期号: 3, 页码: 503-506 Yu, LK; Xu, B; Wang, ZG; Jin, P; Zhao, C; Lei, W; Sun, J; Hu, LJ 收藏  |  浏览/下载：24/1  |  提交时间：2010/03/08 growth interruption  in segregation  photoluminescence  molecular beam epitaxy  quantum dots   Monte Carlo simulation of the modulated effect induced by the dislocation to the quantum dot growth 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 31-35 Zhao C (Zhao C.); Chen YH (Chen Y. H.); Zhao M (Zhao Man); Zhang CL (Zhang C. L.); Xu B (Xu B.); Yu LK (Yu L. K.); Sun J (Sun J.); Lei W (Lei W.); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/04/11 Monte Carlo simulation  molecular beam epitaxy  kinetic effects  quantum dot  LAYER   Kinetic Monte Carlo simulation of spatially ordered growth of quantum dots on patterned substrate 期刊论文  OAI收割 solid state communications, 2006, 卷号: 137, 期号: 11, 页码: 630-633 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/04/11 quantum dot  molecular beam epitaxy  kinetic effects  Monte Carlo simulation  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PERIODIC STRAIN  NUCLEATION   The evolution of InAs/InAlAs/InGaAlAs quantum dots after rapid thermal annealing 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 59-63 作者:  Xu B;  Jin P;  Li CM;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 low dimensional structures  nanostructures  quantum dots  molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  laser diode  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE   Quasi-thermo dynamic analysis of MOVPE growth of GaxAlyIn1-x-yN 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 145-152 Lu DC; Duan SK 收藏  |  浏览/下载：99/7  |  提交时间：2010/08/12 computer simulation  molecular vapor phase epitaxy  nitrides  semiconducting quaternary alloys  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  QUATERNARY ALLOYS  PHASE EPITAXY  GAN  ALINGAN   Photoluminescence in Si and Be directly doped self-organized InAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 35-38 Wang HL; Yang FH; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12 dopant  InAs/GaAs  self-organized quantum dots  MBE  PL  INFRARED-ABSORPTION  INAS ISLANDS  GROWTH  GAAS   X-ray double-crystal characterization of the strain relaxation in GaAs/GaNxAs1-x/GaAs(001) sandwiched structures 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 217, 期号: 1-2, 页码: 26-32 Pan Z; Wang YT; Li LH; Zhang W; Lin YW; Zhou ZQ; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 x-ray diffraction  strain relaxation  GaNxAs1-x/GaAs  photoluminescence  RHEED  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  TEMPERATURE PULSED OPERATION  BAND-GAP ENERGY  NITROGEN  GAASN  GANXAS1-X  GAAS1-XNX  ALLOYS  LASERS  LAYERS   Influence of phosphine flow rate on Si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465 Gao F; Huang DD; Li JP; Lin YX; Kong MY; Sun DZ; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 Si growth rate  P doping  PH3 flow rate  P segregation  GSMBE  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SI1-XGEX  PHOSPHORUS  SI2H6  DISILANE  SI(100)  MBE