机构

• 半导体研究所 [12]

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• OAI收割 [12]

内容类型

• 期刊论文 [12]

发表日期

• 2009 [2]
• 2006 [2]
• 2003 [1]
• 2001 [1]
• 2000 [2]
• 1998 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [12]

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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Enhancement of Exciton-Phonon Interaction in InGaN Quantum Wells Induced by Electron-Beam Irradiation 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 2, 页码: art. no. 021001 作者:  Wei XC;  Duan RF;  Ding K 收藏  |  浏览/下载：76/19  |  提交时间：2010/03/08 LOCALIZATION  SEMICONDUCTORS  EMISSION  BOXES  BAND   Growth-Parameter Spaces and Optical Properties of Cubic Boron Nitride Films on Si(001) 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: art. no. 056801 作者:  You JB;  Zhang XW;  Fan YM;  Tan HR 收藏  |  浏览/下载：368/49  |  提交时间：2010/03/08 BN THIN-FILMS  REFRACTIVE-INDEX  ELLIPSOMETRY  NUCLEATION  DIAMOND  DENSITY   High quality microcrystalline Si films by hydrogen dilution profile 期刊论文  OAI收割 thin solid films, 2006, 卷号: 515, 期号: 2, 页码: 452-455 Gu JH (Gu Jinhua); Zhu MF (Zhu Meifang); Wang LJ (Wang Liujiu); Liu FZ (Liu Fengzhen); Zhou BQ (Zhou Bingqing); Ding K (Ding Kun); Li GH (Li Guohua) 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/04/11 microcrystalline Si thin film  hydrogen dilution profiling  incubation layer  uniformity  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  THIN  ALLOYS  CVD   Electron resonant tunneling through InAs/GaAs quantum dots embedded in a Schottky diode with an AlAs insertion layer 期刊论文  OAI收割 journal of the electrochemical society, 2006, 卷号: 153, 期号: 7, 页码: g703-g706 作者:  Ye XL;  Xu B;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：90/0  |  提交时间：2010/04/11 GAAS  SPECTROSCOPY  PARAMETERS  TRANSPORT  LASERS  ENERGY  STATES  HOLE   Structural and photoluminescent properties of ternary Zn1-xCdxO crystal films grown on Si(111) substrates 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 1-2, 页码: 78-82 Ye ZZ; Ma DW; He JH; Huang JY; Zhao BH; Luo XD; Xu ZY 收藏  |  浏览/下载：487/1  |  提交时间：2010/08/12 characterization  crystal structure  DC sputtering  alloys  zinc compounds  semiconducting II-VI materials  THIN-FILMS  ROOM-TEMPERATURE  ULTRAVIOLET-LASER  SPRAY-PYROLYSIS  ZNO  MGXZN1-XO  EMISSION  ALLOY   Structural characterization of cubic GaN grown on GaAs(001) substrates 期刊论文  OAI收割 chinese journal of electronics, 2001, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 219-222 Zheng XH; Qu B; Wang YT; Yang H; Liang JW; Han JY 收藏  |  浏览/下载：93/4  |  提交时间：2010/08/12 cubic GaN  X-ray double crystal diffraction  structural characteristics  CONTINUOUS-WAVE OPERATION  EPITAXIAL-GROWTH  HEXAGONAL GAN  LASER-DIODES  THIN-FILMS  MBE   X-ray double-crystal characterization of the strain relaxation in GaAs/GaNxAs1-x/GaAs(001) sandwiched structures 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 217, 期号: 1-2, 页码: 26-32 Pan Z; Wang YT; Li LH; Zhang W; Lin YW; Zhou ZQ; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 x-ray diffraction  strain relaxation  GaNxAs1-x/GaAs  photoluminescence  RHEED  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  TEMPERATURE PULSED OPERATION  BAND-GAP ENERGY  NITROGEN  GAASN  GANXAS1-X  GAAS1-XNX  ALLOYS  LASERS  LAYERS   Point defects in III-V compound semiconductors 期刊论文  OAI收割 defects and diffusion in semiconductors, 2000, 卷号: 183-1, 期号: 0, 页码: 85-93 Chen N 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 compound semiconductors  point defects  deep level centres  stoichiometry  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS SINGLE-CRYSTALS  SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE  SEMI-INSULATING GAAS  ELECTRICAL-PROPERTIES  LATTICE-PARAMETER  NATIVE DEFECTS  CARBON  DIFFRACTOMETER  STOICHIOMETRY   Triclinic deformation and anisotropic strain relaxation of an InAs film on a GaAs(001) substrate measured by a series of symmetric double crystal X-ray diffraction 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 191, 期号: 4, 页码: 627-630 Wang HM; Zeng YP; Zhou HW; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HALL ELEMENTS  GAAS  MISORIENTATION  DISTORTION  LAYERS  MBE  SI  HETEROSTRUCTURES  GROWTH   Properties of GaAs single crystals grown by molecular beam epitaxy at low temperatures 期刊论文  OAI收割 science in china series a-mathematics physics astronomy, 1997, 卷号: 40, 期号: 2, 页码: 214-218 Chen NF; He HJ; Wang YT; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/17 low temperature  molecular beam epitaxy  GaAs single crystal  lattice parameter  arsenic interstitial couples  arsenic precipitates  effects of backgating or sidegating  LAYERS  DEPENDENCE