机构

• 西安光学精密机械研... [22]
• 微电子研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [23]

内容类型

• 专利 [23]

发表日期

• 2014 [1]
• 2008 [1]
• 2007 [1]
• 1996 [1]
• 1995 [1]
• 1991 [1]
• 更多

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共23条，第1-10条 帮助 限定条件 内容类型：专利     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 向沟道中引入应变的方法和使用该方法制作的器件 专利  OAI收割 专利号: US8748272, 申请日期: 2014-06-10, 公开日期: 2012-07-19 作者:  徐秋霞;  殷华湘;  陈大鹏   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2015/05/28 Amorphous silicon crystallization using combined beams from optically pumped semiconductor lasers 专利  OAI收割 专利号: WO2008010956A1, 申请日期: 2008-01-24, 公开日期: 2008-01-24 作者:  GOVORKOV, SERGEI, V.;  AUSTIN, R., RUSSEL;  FERBER, JOERG   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 Laser treatment apparatus and method of manufacturing semiconductor device 专利  OAI收割 专利号: US20070201119A1, 申请日期: 2007-08-30, 公开日期: 2007-08-30 作者:  YAMAZAKI, SHUNPEI   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 化合物半導体単結晶エピタキシャル基板およびその成長方法 专利  OAI收割 专利号: JP2587150B2, 申请日期: 1996-12-05, 公开日期: 1997-03-05 作者:  山本 ▲ミツ▼夫;  山本 知生;  都築 信頼   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 分布反射型半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1995109922B2, 申请日期: 1995-11-22, 公开日期: 1995-11-22 作者:  狩野 文良;  東盛 裕一   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26 Semiconductor laser and manufacture thereof 专利  OAI收割 专利号: JP1991034485A, 申请日期: 1991-02-14, 公开日期: 1991-02-14 作者:  SUZUKI YASUHIRO;  MIKAMI OSAMU   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2020/01/18 - 专利  OAI收割 专利号: JP1989055589B2, 申请日期: 1989-11-27, 公开日期: 1989-11-27 作者:  FURUYAMA HIDETO;  UEMATSU YUTAKA   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1988258089A, 申请日期: 1988-10-25, 公开日期: 1988-10-25 作者:  IWANO HIDEAKI   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1988181391A, 申请日期: 1988-07-26, 公开日期: 1988-07-26 作者:  KUWAMURA YUJI   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: JP1988151094A, 申请日期: 1988-06-23, 公开日期: 1988-06-23 作者:  TAKAMI AKIHIRO;  MURAKAMI TAKASHI   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/01/18