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• 半导体研究所 [13]

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• OAI收割 [13]

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• 期刊论文 [13]

发表日期

• 2011 [2]
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学科主题

• 半导体材料 [13]

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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Anomalous Temperature Dependence of Photoluminescence in InAs/InAlGaAs/InP Quantum Wire and Dot Hybrid Nanostructures 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: article no.27801 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：51/3  |  提交时间：2011/07/05 CONTINUOUS-WAVE OPERATION  EMISSION  LASERS  WAVELENGTH  EXCITONS  ENERGY   Comparison of as-grown and annealed GaN/InGaN:Mg samples 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 34, 页码: 345101 Deng QW; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Yin HB; Chen H; Lin DF; Jiang LJ; Feng C; Li JM; Wang ZG; Hou X 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/01/06 LIGHT-EMITTING-DIODES  VAPOR-PHASE EPITAXY  BAND-GAP  MG  PHOTOLUMINESCENCE  INGAN  DEPENDENCE  STRAIN  ENERGY  INN   Depolarization blueshift in intersubband transitions of triangular quantum wires 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 11, 页码: art. no. 113712 作者:  Song HP;  Zhang B 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/04/04 aluminium compounds  effective mass  gallium arsenide  III-V semiconductors  SCF calculations  semiconductor quantum wires  spectral line shift  EXCHANGE INTERACTION  ENERGY  STATES  ABSORPTION  NANOWIRES  ELECTRONS  SUBBANDS  WELLS  FIELD   Annealing study of carrier concentration in gradient-doped GaAs/GaAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 applied optics, 2009, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 1715-1720 Zhang YJ; Chang BK; Yang Z; Niu J; Xiong YJ; Shi F; Guo H; Zeng YP 收藏  |  浏览/下载：65/25  |  提交时间：2010/03/08 GAAS PHOTOCATHODES  GALLIUM-ARSENIDE  ALXGA1-XAS  DIFFUSION  SURFACE  ENERGY   Electron resonant tunneling through InAs/GaAs quantum dots embedded in a Schottky diode with an AlAs insertion layer 期刊论文  OAI收割 journal of the electrochemical society, 2006, 卷号: 153, 期号: 7, 页码: g703-g706 作者:  Ye XL;  Xu B;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：90/0  |  提交时间：2010/04/11 GAAS  SPECTROSCOPY  PARAMETERS  TRANSPORT  LASERS  ENERGY  STATES  HOLE   Study of GaN thin films grown on vicinal SiC (0001) substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2002, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 957-960 Lu LW; Yan H; Yang CL; Xie MH; Wang ZG; Wang J; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/08/12 PHOTOLUMINESCENCE  ENERGY   Surface morphology of ion-beam deposited carbon films under high temperature 期刊论文  OAI收割 journal of vacuum science & technology a-vacuum surfaces and films, 2002, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 2072-2074 Liao MY; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Qin FG; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 ENERGY  NANOTUBES  SILICON  GROWTH   Effect of InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.4) capping layer on self-assembled 1.3 mu m wavelength InAs/GaAs quantum islands 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 3, 页码: 363-368 Wang XD; Niu ZC; Feng SL; Miao ZH 收藏  |  浏览/下载：93/3  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  low dimensional structures  optical microscopy  molecular beam epitaxy  nanomaterials  semiconducting III-V materials  laser diodes  TEMPERATURE-DEPENDENCE  M PHOTOLUMINESCENCE  INGAAS OVERGROWTH  GAAS  DOTS  EMISSION  ENERGY  LASER   Effect of In-mole-fraction in InGaAs overgrowth layer on self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 193-197 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  InGaAs overgrowth layer  photoluminescence  molecular beam epitaxy  1.3 MU-M  ROOM-TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE LINEWIDTH  EMISSION  LASERS  ENERGY   p-type co-doping study of GaN by photoluminescence 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 197, 期号: 1-2, 页码: 368-371 Zhang JP; Sun DZ; Wang XL; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 p-type co-doping  photoluminescence  acceptor ionization energy  IMPLANTED GAN  TRANSITIONS  ENERGY  GALLIUM NITRIDE