机构

• 半导体研究所 [36]

采集方式

• OAI收割 [33]
• iSwitch采集 [3]

内容类型

• 期刊论文 [34]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2011 [3]
• 2009 [3]
• 2008 [1]
• 2007 [2]
• 2006 [8]
• 2005 [4]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [10]
• 半导体物理 [10]
• 光电子学 [9]
• 微电子学 [4]

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浏览/检索结果: 共36条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 A practical route towards fabricating GaN nanowire arrays 期刊论文  OAI收割 crystengcomm, 2011, 卷号: 13, 期号: 19, 页码: 5929-5935 Liu, JQ; Huang, J; Gong, XJ; Wang, JF; Xu, K; Qiu, YX; Cai, DM; Zhou, TF; Ren, GQ; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/02/06 LIGHT-EMITTING-DIODES  EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  WELL NANOROD ARRAYS  ULTRAVIOLET-LIGHT  GROWTH  NANOGENERATORS  DISLOCATIONS  BRIGHTNESS  LAYERS   Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates 期刊论文  OAI收割 journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032 作者:  Pan X 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2011/09/14 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  ALN INTERLAYERS  FILMS  STRESS  LAYERS  DISLOCATIONS  REDUCTION  DENSITY  DIODES   GaAs-based long-wavelength InAs quantum dots on multi-step-graded InGaAs metamorphic buffer grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2011, 2011, 卷号: 44, 44, 期号: 33, 页码: 335102, 335102 作者:  He JF;  Wang HL;  Shang XJ;  Li MF;  Zhu Y   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/01/06 1.3 MU-M  STRAIN RELIEF  LASERS  SUBSTRATE  PHOTOLUMINESCENCE  DISLOCATIONS  OPERATION  RANGE  1.3 Mu-m  Strain Relief  Lasers  Substrate  Photoluminescence  Dislocations  Operation  Range   Dislocation core effect scattering in a quasitriangle potential well 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 11, 页码: art. no. 112102 作者:  Wei HY 收藏  |  浏览/下载：236/104  |  提交时间：2010/03/08 aluminium compounds  carrier density  carrier mobility  dislocation density  dislocation scattering  gallium compounds  III-V semiconductors  semiconductor heterojunctions  wide band gap semiconductors   Characterization of Thick GaN Films Directly Grown on Wet-Etching Patterned Sapphire by HVPE 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: art. no. 096801 作者:  Yang JK;  Wei TB;  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：73/3  |  提交时间：2010/03/08 VAPOR-PHASE EPITAXY  DISLOCATIONS  SUBSTRATE  LAYER   Role of edge dislocation and Si impurity in linking the blue luminescence and yellow luminescence in n-type GaN films 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 4, 页码: art. no. 041901 作者:  Yang H;  Wang H;  Wang H;  Wang YT;  Yang H 收藏  |  浏览/下载：64/1  |  提交时间：2010/03/08 edge dislocations  gallium compounds  III-V semiconductors  impurities  photoluminescence  semiconductor doping  semiconductor thin films  silicon  wide band gap semiconductors  X-ray diffraction   Dislocation scattering in AlxGa1-xN/GaN heterostructures 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 18, 页码: art. no. 182111 Xu, XQ; Liu, XL; Han, XX; Yuan, HR; Wang, J; Guo, Y; Song, HP; Zheng, GL; Wei, HY; Yang, SY; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/03/08 aluminium compounds  dislocation density  electron mobility  gallium compounds  III-V semiconductors  interface roughness  semiconductor heterojunctions  two-dimensional electron gas  wide band gap semiconductors   Grating optimization and experiment on high-power distributed feedback lasers 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 3, 页码: 1613-1616 作者:  Fu Sheng-Hui;  Song Guo-Feng;  Chen Liang-Hui 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Dfb lasers  Coupled-wave theory  Second-order gratings  Sidemode suppression ratio   Grating optimization and experiment on high-power distributed feedback lasers 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 3, 页码: 1613-1616 Fu SH (Fu Sheng-Hui); Song GF (Song Guo-Feng); Chen LH (Chen Liang-Hui) 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/03/29 DFB lasers   High-power algainp laser diodes with current-injection-free region near the laser facet 期刊论文  iSwitch采集 Optical engineering, 2006, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 3 作者:  Xu, Y;  Li, YZ;  Gan, QQ;  Cao, Q;  Song, GF 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Laser diodes  Algainp  Ridge waveguide  Current-injection-free region