机构

• 半导体研究所 [20]

采集方式

• OAI收割 [15]
• iSwitch采集 [5]

内容类型

• 期刊论文 [18]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2008 [1]
• 2006 [1]
• 2003 [3]
• 2001 [2]
• 2000 [2]
• 1999 [4]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [6]
• 半导体器件 [4]
• 半导体物理 [3]
• 光电子学 [2]

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浏览/检索结果: 共20条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Spectroscopy of long wavelength coupled quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 17, 页码: art. no. 175102 Xiong, YH; Huang, SS; Ni, HQ; Dou, XM; Niu, ZC 收藏  |  浏览/下载：84/1  |  提交时间：2010/03/08 ELECTRON-SPIN  EMISSION  ISLANDS  GROWTH  STATES   Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 380-383 Zhao YW (Zhao Y. W.); Dong ZY (Dong Z. Y.); Deng AH (Deng A. H.) 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/04/11 indium phosphide  defect  irradiation  THERMALLY STIMULATED CURRENT  UNDOPED SEMIINSULATING INP  DEEP-LEVEL DEFECTS  FRENKEL PAIRS  FE  SPECTROSCOPY  PHOSPHIDE  AMBIENT  TRAPS   Hydrogen related defects in neutron-irradiated silicon grown in hydrogen ambient 期刊论文  iSwitch采集 Microelectronic engineering, 2003, 卷号: 66, 期号: 1-4, 页码: 333-339 作者:  Wang, QY 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Neutron irradiation  Annealing  Defects in silicon   Hydrogen related defects in neutron-irradiated silicon grown in hydrogen ambient 期刊论文  OAI收割 microelectronic engineering, 2003, 卷号: 66, 期号: 1-4, 页码: 333-339 Wang QY; Wang JH; Deng HF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 neutron irradiation  annealing  defects in silicon  SPECTRA   Hydrogen related defects in neutron-irradiated silicon grown in hydrogen ambient 会议论文  OAI收割 iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002 Wang QY; Wang JH; Deng HF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/15 neutron irradiation  annealing  defects in silicon  SPECTRA   Infrared study on the oxygen precipitation in floating-zone silicon grown in hydrogen ambience 期刊论文  iSwitch采集 Rare metal materials and engineering, 2001, 卷号: 30, 页码: 568-571 作者:  Li, HX;  Li, CB;  Xue, CS;  Diao, ZY;  Chen, LS 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Oxygen precipitates  Silicon  Infrared spectrum   Oxygen precipitation in floating-zone silicon grown in hydrogen ambience and its application 期刊论文  iSwitch采集 Materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2001, 卷号: 83, 期号: 1-3, 页码: 106-110 作者:  Li, HX;  Li, CB;  He, YJ;  Liu, GR;  Chen, YS 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Oxygen precipitates  Silicon  Ntd  Denuded zone   Hydrogen-dependent lattice dilation in GaN 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2000, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 619-621 Zhang JP; Wang XL; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 OPTICAL-PROPERTIES  GALLIUM NITRIDE  SAPPHIRE  EPILAYERS  STRESS  SEMICONDUCTORS  ELECTRONS  SILICON  STRAIN  FILMS   The improvement characteristics of homoepitaxial GaAs grown by atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 191-193 Wang HL; Zhu HJ; Ning D; Wang H; Wang XD; Guo ZS; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：80/0  |  提交时间：2010/08/12 atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy  deep level transient spectroscopy  deep level defects  DISLOCATION DENSITY  IRRADIATION   First charge collection and position-precision data on the medium-resistivity silicon strip detectors before and after neutron irradiation up to 2x10(14) n/cm(2) 期刊论文  iSwitch采集 Nuclear instruments & methods in physics research section a-accelerators spectrometers detectors and associated equipment, 1999, 卷号: 426, 期号: 1, 页码: 38-46 作者:  Li, Z;  Dezilllie, B;  Eremin, V;  Li, CJ;  Verbitskaya, E 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Strip detectors  Silicon detectors  Annealing  Simulation  Irradiation